[实用新型]排气装置有效

专利信息
申请号: 201820443437.6 申请日: 2018-03-29
公开(公告)号: CN207938583U 公开(公告)日: 2018-10-02
发明(设计)人: 曹兴龙;阚保国;刘家桦;叶日铨 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L21/67 分类号: H01L21/67
代理公司: 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 代理人: 孙佳胤;陈丽丽
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 排气装置 排气口 本实用新型 残留气体 抽气组件 反应腔室 中间夹层 排气孔 内层 半导体制造技术 无尘室环境 导体制造 双层罩体 反应腔 外泄 罩体 抽出 容纳 室内 安全
【说明书】:

实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种排气装置。所述排气装置,包括由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体以及抽气组件,所述罩体用于容纳反应腔室;所述内层上设置有多个排气孔,所述外层上安装有至少一排气口;所述抽气组件,连接所述排气口,用于使所述反应腔室中的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口后抽出。本实用新型避免了反应腔室内残留气体的外泄,防止了对半导体制造过程中的无尘室环境造成影响,同时确保了作业人员的安全。

技术领域

本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种排气装置。

背景技术

随着集成电路制造技术的飞速发展,集成电路的特征尺寸也在不断的减小,在一片半导体晶圆上,半导体器件的数量不断增加。为了满足半导体器件数量增多的要求,在一片半导体晶圆上往往包括多层结构的半导体器件,而相邻层的半导体器件通过金属互连结构实现电连接,从而在特定面积的晶圆上增加半导体器件数量,提高半导体器件的集成度。然而,随着集成电路结构的日益复杂,对于晶圆的要求也不断提高。

在半导体集成电路的制造过程中,由于工艺步骤的需要,例如刻蚀过程,经常会使用许多有毒有害的气体,例如Cl2、HBr、SiCl4等。为了确保半导体制造流程正常、稳定的进行,需要周期性的对半导体制造设备进行保养。在周期性维护(Periodical Maintain,PM)的过程中,需要对反应腔室进行清洁。此时,有毒有害物质会以气态的形式从所述反应腔室中挥发出来。这些有毒有害气体味道比较重,其挥发出来后会对无尘室环境造成影响,更为严重的是,会对作业人员的身体健康造成危害。

因此,如何避免周期性维护过程中反应腔室内的有毒有害残气外泄,是目前亟待解决的技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种排气装置,用以避免周期性维护过程中反应腔室内的残气易外泄的问题,防止对半导体制造过程中的无尘室环境造成影响,同时确保作业人员的安全。

为了解决上述问题,本实用新型提供了一种排气装置,包括由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体以及抽气组件,所述罩体用于容纳反应腔室;所述内层上设置有多个排气孔,所述外层上安装有至少一排气口;所述抽气组件,连接所述排气口,用于使所述反应腔室中的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口后抽出。

优选的,多个所述排气孔关于所述罩体的轴向对称分布。

优选的,多个所述排气孔在所述内层上呈阵列排布。

优选的,所述排气口的内径大于所述排气孔的内径。

优选的,至少一排气口包括多个排气口。

优选的,多个排气口包括两个排气口,且两个所述排气口之间的夹角大于预设角度。

优选的,所述预设角度为130°。

优选的,所述抽气组件包括抽气泵和管道;所述管道的一端与所述抽气泵连通、另一端与所述排气口连通,所述抽气泵用于将所述反应腔室内的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口、所述管道后抽出。

优选的,还包括控制器;所述控制器,连接所述抽气泵,用于控制所述抽气泵的抽气速率。

本实用新型提供的排气装置,通过设置由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体,在对半导体设备进行周期性维护的过程中,以所述罩体罩住反应腔室,抽气组件对所述罩体内部抽气,从而使得所述罩体内部形成一稳定的负压环境,所述反应腔室内的残留气体依次经内层上的排气孔、中间夹层、外层上的排气口后排出至外界,避免了反应腔室内残留气体的外泄,防止了对半导体制造过程中的无尘室环境造成影响,同时确保了作业人员的安全。

附图说明

附图1是本实用新型具体实施方式中排气装置的结构框图;

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