[实用新型]排气装置有效
申请号: | 201820443437.6 | 申请日: | 2018-03-29 |
公开(公告)号: | CN207938583U | 公开(公告)日: | 2018-10-02 |
发明(设计)人: | 曹兴龙;阚保国;刘家桦;叶日铨 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人: | 孙佳胤;陈丽丽 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 排气装置 排气口 本实用新型 残留气体 抽气组件 反应腔室 中间夹层 排气孔 内层 半导体制造技术 无尘室环境 导体制造 双层罩体 反应腔 外泄 罩体 抽出 容纳 室内 安全 | ||
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种排气装置。所述排气装置,包括由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体以及抽气组件,所述罩体用于容纳反应腔室;所述内层上设置有多个排气孔,所述外层上安装有至少一排气口;所述抽气组件,连接所述排气口,用于使所述反应腔室中的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口后抽出。本实用新型避免了反应腔室内残留气体的外泄,防止了对半导体制造过程中的无尘室环境造成影响,同时确保了作业人员的安全。
技术领域
本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种排气装置。
背景技术
随着集成电路制造技术的飞速发展,集成电路的特征尺寸也在不断的减小,在一片半导体晶圆上,半导体器件的数量不断增加。为了满足半导体器件数量增多的要求,在一片半导体晶圆上往往包括多层结构的半导体器件,而相邻层的半导体器件通过金属互连结构实现电连接,从而在特定面积的晶圆上增加半导体器件数量,提高半导体器件的集成度。然而,随着集成电路结构的日益复杂,对于晶圆的要求也不断提高。
在半导体集成电路的制造过程中,由于工艺步骤的需要,例如刻蚀过程,经常会使用许多有毒有害的气体,例如Cl2、HBr、SiCl4等。为了确保半导体制造流程正常、稳定的进行,需要周期性的对半导体制造设备进行保养。在周期性维护(Periodical Maintain,PM)的过程中,需要对反应腔室进行清洁。此时,有毒有害物质会以气态的形式从所述反应腔室中挥发出来。这些有毒有害气体味道比较重,其挥发出来后会对无尘室环境造成影响,更为严重的是,会对作业人员的身体健康造成危害。
因此,如何避免周期性维护过程中反应腔室内的有毒有害残气外泄,是目前亟待解决的技术问题。
实用新型内容
本实用新型提供一种排气装置,用以避免周期性维护过程中反应腔室内的残气易外泄的问题,防止对半导体制造过程中的无尘室环境造成影响,同时确保作业人员的安全。
为了解决上述问题,本实用新型提供了一种排气装置,包括由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体以及抽气组件,所述罩体用于容纳反应腔室;所述内层上设置有多个排气孔,所述外层上安装有至少一排气口;所述抽气组件,连接所述排气口,用于使所述反应腔室中的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口后抽出。
优选的,多个所述排气孔关于所述罩体的轴向对称分布。
优选的,多个所述排气孔在所述内层上呈阵列排布。
优选的,所述排气口的内径大于所述排气孔的内径。
优选的,至少一排气口包括多个排气口。
优选的,多个排气口包括两个排气口,且两个所述排气口之间的夹角大于预设角度。
优选的,所述预设角度为130°。
优选的,所述抽气组件包括抽气泵和管道;所述管道的一端与所述抽气泵连通、另一端与所述排气口连通,所述抽气泵用于将所述反应腔室内的残留气体依次经所述排气孔、所述中间夹层、所述排气口、所述管道后抽出。
优选的,还包括控制器;所述控制器,连接所述抽气泵,用于控制所述抽气泵的抽气速率。
本实用新型提供的排气装置,通过设置由内层、外层和中间夹层构成的双层罩体,在对半导体设备进行周期性维护的过程中,以所述罩体罩住反应腔室,抽气组件对所述罩体内部抽气,从而使得所述罩体内部形成一稳定的负压环境,所述反应腔室内的残留气体依次经内层上的排气孔、中间夹层、外层上的排气口后排出至外界,避免了反应腔室内残留气体的外泄,防止了对半导体制造过程中的无尘室环境造成影响,同时确保了作业人员的安全。
附图说明
附图1是本实用新型具体实施方式中排气装置的结构框图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造