[实用新型]一种沟渠式肖特基二极管

权利要求书

1.一种沟渠式肖特基二极管，包括基板（2）、磊晶层（3）、掺杂层（4）、金属层（6）、半导体层（7）和沟槽（8），其特征在于，所述基板（2）底部设有第一电极（1），所述基板（2）顶部设有磊晶层（3），所述磊晶层（3）顶部设有掺杂层（4），所述掺杂层（4）顶部设有金属层（6），所述掺杂层（4）和金属层（6）之间间隔设有若干沟槽（8），所述沟槽（8）底部设有氧化层（5），所述沟槽（8）内部设有半导体层（7），所述金属层（6）顶部设有第二电极（9）。

2.根据权利要求1所述的一种沟渠式肖特基二极管，其特征在于，所述金属层（6）为金属硅化物。

3.根据权利要求1所述的一种沟渠式肖特基二极管，其特征在于，所述磊晶层（3）为n型多晶硅。

4.根据权利要求1所述的一种沟渠式肖特基二极管，其特征在于，所述基板（2）为n型硅基板。

5.根据权利要求2所述的一种沟渠式肖特基二极管，其特征在于，所述金属硅化物为钴的硅化物。

6.根据权利要求1所述的一种沟渠式肖特基二极管，其特征在于，所述基板（2）的载子浓度大于磊晶层（3）的载子浓度。

7.根据权利要求1所述的一种沟渠式肖特基二极管，其特征在于，所述第二电极（9）和金属层（6）的材料相同。