[实用新型]一种沟渠式肖特基二极管

说明书

本实用新型公开了一种沟渠式肖特基二极管，包括基板、磊晶层、掺杂层、金属层、半导体层和沟槽，基板底部设有第一电极，基板顶部设有磊晶层，磊晶层顶部设有掺杂层，掺杂层顶部设有金属层，掺杂层和金属层之间间隔设有若干沟槽，沟槽底部设有氧化层，沟槽内部设有半导体层，金属层顶部设有第二电极，该种沟渠式肖特基二极管，结构设计完整紧凑，通过若干个沟槽的设置，在沟槽填入具有高功函数的金属材料，从而提高肖特基二极管的顺向偏压特性，可承受高逆向偏压，当肖特基二极管处于正向偏压时，通过掺杂层的设置，从而使得肖特基二极管在加载较小的正向电压时就能获得较好的电流信号值的效果，本实用新型设计合理，适合推广使用。

技术领域

本实用新型涉及一种二极管，尤其是涉及一种沟渠式肖特基二极管。

背景技术

肖特基二极管（SBD）是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode，缩写成SBD）的简称，是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的半导体器件。肖特基二极管是低功耗、大电流、超高速半导体器件，它不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

肖特基二极体最大的缺点是其反向偏压较低及反向漏电流偏大，像使用硅及金属为材料的肖特基二极体，其反向偏压额定耐压最高只到50V，而反向漏电流值为正温度特性，容易随着温度升高而急遽变大，实务设计上需注意其热失控的隐忧，肖特基二极体实际使用时的反向偏压都会比其额定值小很多。结合有肖特基特性的元件，通常具有可高速切换、开关快速的优点。然而，实务上发现，一些肖特基二极管当制作为可承受较高的逆向偏压的元件时(也就是具有高崩溃电压，其顺向偏压特性会变差，换句话说，要产生相同电流时所需的顺向偏压必须加大，因此，为了解决上述问题，设计一种沟渠式肖特基二极管。

发明内容

本实用新型要解决的技术问题是克服现有肖特基二极管作为可承受较高的逆向偏压的元件时，肖特基二极管顺向偏压特性会较差的缺陷，提供一种沟渠式肖特基二极管，从而解决上述问题。

为实现上述目的，本实用新型提供如下技术方案：一种沟渠式肖特基二极管，包括基板、磊晶层、掺杂层、金属层、半导体层和沟槽，所述基板底部设有第一电极，所述基板顶部设有磊晶层，所述磊晶层顶部设有掺杂层，所述掺杂层顶部设有金属层，所述掺杂层和金属层之间间隔设有若干沟槽，所述沟槽底部设有氧化层，所述沟槽内部设有半导体层，所述金属层顶部设有第二电极。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述金属层为金属硅化物。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述磊晶层为n型多晶硅。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述基板为n型硅基板。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述金属硅化物为钴的硅化物。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述基板的载子浓度大于磊晶层的载子浓度。

作为本实用新型的一种优选技术方案，所述第二电极和金属层的材料相同。

与目前技术相比，本实用新型的有益效果是：该种沟渠式肖特基二极管，结构设计完整紧凑，通过若干个沟槽的设置，在沟槽填入具有高功函数的金属材料，从而提高肖特基二极管的顺向偏压特性，可承受高逆向偏压，当肖特基二极管处于正向偏压时，通过掺杂层的设置，从而使得肖特基二极管在加载较小的正向电压时就能获得较好的电流信号值的效果，本实用新型设计合理，适合推广使用。

附图说明

附图用来提供对本实用新型的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与本实用新型的实施例一起用于解释本实用新型，并不构成对本实用新型的限制。在附图中：

图1为本实用新型的结构示意图；