[实用新型]适用于电容用氮化硅和做屏蔽层保护用氮化硅的气路系统有效

专利信息
申请号: 201820475654.3 申请日: 2018-04-04
公开(公告)号: CN208154103U 公开(公告)日: 2018-11-27
发明(设计)人: 杨勇;余庆;赵江波;王艳兵;方勇进;张敏森;张国成 申请(专利权)人: 华越微电子有限公司
主分类号: F17D1/02 分类号: F17D1/02;F17D3/01;F17D3/18
代理公司: 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 代理人: 冯子玲
地址: 312000 浙*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 常闭气动阀 氮化硅 质量流量计 进气管 本实用新型 气路系统 屏蔽层 电容 完成系统 运行稳定 调压阀 隔膜阀 小投入 改造
【说明书】:

实用新型公开了一种适用于电容用氮化硅和做屏蔽层保护用氮化硅的气路系统,包括第四进气管;所述的第四进气管上依次安装有第四隔膜阀、第四调压阀、第十七常闭气动阀;所述的第四进气管与第五质量流量计通过管路相连;所述的第十常闭气动阀、第十一常闭气动阀之间的管路与第十八常闭气动阀通过管路相连;所述的第十八常闭气动阀通过管路与所述的第十七常闭气动阀、第五质量流量计之间的管路相连;所述的第五质量流量计通过管路与第十九常闭气动阀相连;所述的第十九常闭气动阀通过管路与第九常闭气动阀通过管路相连。本实用新型系统能适用CAP‑SIN或F‑SIN两种工艺,且运行稳定,适应性强,以最小投入成本完成系统改造。

技术领域

本实用新型涉及一种适用于电容用氮化硅和做屏蔽层保护用氮化硅的气路系统。

背景技术

做屏蔽层保护用氮化硅(F-SIN)气路系统如图1所示,包括第一进气管1、第二进气管2、第三进气管3;所述的第一进气管1上依次安装有第一隔膜阀37、第一调压阀4、第一常闭气动阀5;所述的第二进气管2上依次安装有第二隔膜阀38、第二调压阀6;所述的第三进气管3上依次安装有第三隔膜阀39、第三调压阀7和第二常闭气动阀8;所述的第一常闭气动阀5与第一质量流量计9通过管路相连;所述的第一质量流量计9通过管路与反应腔10相连;所述的第一质量流量计9与反应腔10之间的管路上依次安装有第三常闭气动阀11、第四常闭气动阀12、第五常闭气动阀13和压力表14,且所述的第三常闭气动阀11、第四常闭气动阀12之间的管路上安装有第一压力表28;所述的第二调压阀6与浮子流量计15通过管路相连;所述的浮子流量计15通过管路与第五常闭气动阀13相连,且所述的浮子流量计15与第五常闭气动阀13之间的管路上还安装有第六常闭气动阀16,所述的第六常闭气动阀16与第五常闭气动阀13之间的管路上安装有第二压力表17;所述的第二常闭气动阀8与第二质量流量计18通过管路相连;所述的第二质量流量计18通过管路与第七常闭气动阀19相连;所述的第七常闭气动阀19通过管路分别与第八常闭气动阀20、第九常闭气动阀40相连;所述的第九常闭气动阀40通过管路与第六常闭气动阀16、第五常闭气动阀13之间的管路相连;所述的第一常闭气动阀5、第一质量流量计9之间管路与所述的第二常闭气动阀8、第二质量流量计18之间的管路上安装有带第十常闭气动阀21、第十一常闭气动阀22的管路,且所述的带第十常闭气动阀21、第十一常闭气动阀22的管路与所述的第二调压阀6、浮子流量计15之间的管路连通;所述的带第十常闭气动阀21、第十一常闭气动阀22的管路分别与第三质量流量计23、第四质量流量计24通过管路相连;所述的第三质量流量计23通过管路与压力控制器25相连。所述的压力控制器25通过管路与第十二常闭气动阀26相连;所述的第四质量流量计24通过管路与第十三常闭气动阀27相连,所述的第十三常闭气动阀27通过管路与第六常闭气动阀16、第五常闭气动阀13之间的管路相连;所述的反应腔10通过管路与第十四常闭气动阀29相连,且所述的反应腔10与第十四常闭气动阀29之间的管路上安装有压力开关30和第三压力表35;所述的第十四常闭气动阀29的两端通过管路并联有第十五常闭气动阀31、第十六常闭气动阀32,且所述的第十四常闭气动阀29还通过管路与常压排气常闭气动阀33相连;所述的第十四常闭气动阀29通过管路与真空泵34相连,所述的真空泵34与水封泵相连;所述的第三常闭气动阀11、第四常闭气动阀12之间的管路与所述的第十四常闭气动阀29、真空泵34之间的管路通过安装有第十七常闭气动阀36的管路相连;所述的第十二常闭气动阀26通过管路与所述的第十四常闭气动阀29、真空泵34之间的管路相连;所述的第八常闭气动阀20通过管路与所述的第十四常闭气动阀29、真空泵34之间的管路相连。

其中第一进气管1用来硅烷的投入;第二进气管2用来氮气的投入;第三进气管3用来笑气的投入;

目前由于电容用氮化硅(CAP-SIN)产能有缺口但是缺口不大同时做屏蔽层保护用氮化硅(F-SIN)产能很少,鉴于此考虑将CAP-SIN和F-SIN功能同时整合成1个系统。这样就能用1个系统分别做CAP-SIN工艺或F-SIN工艺。

实用新型内容

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