[实用新型]一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块

说明书

本实用新型公开了一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，包括储气罐、在线加热器和烘干槽本体，所述在线加热器通过管路分别与储气罐和烘干槽本体相通，所述烘干槽本体上方设有槽盖，内部设有多路喷淋管路，所述喷淋管路通过管夹固定于烘干槽本体的内部侧壁上，所述喷淋管路上均匀分布有多个喷嘴，所述在线加热器通向烘干槽本体的管路通过三通管件分为多路，分别与烘干槽本体内部的多路喷淋管路一一相通，所述储气罐底部设有烘干模块进气口，所述烘干槽本体底部设有烘干模块出气口，本实用新型利用高温高压氮气对湿法清洗后的晶片进行烘干处理，结构简单，操作便捷，烘干速度快，干燥效果好，全程无污染，且受热均匀对晶片质量没有损害。

技术领域

本实用新型涉及晶片湿法清洗领域，尤其涉及一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块。

背景技术

晶片作为重要的半导体元件，一旦受到污染，容易造成集成电路晶片内电路功能的损坏，进而导致整个电路的失效。但是，在晶片加工制造过程中又不可避免地会受到各种环境因素的污染，为了严格控制加工环境，保证晶片的清洁度，几乎在晶片加工制造的每一道工序都涉及清洗工艺，而在清洗之后需要及时将晶片进行烘干处理，防止其受到外界环境的污染。此外，在晶片加工制造的过程中，由于加工工艺的需要，晶片表面经常会有油污、化学药剂、蜡、金属等物质的残留，利用清洗站将这些残留物清洗掉之后，同样需要及时对清洗后的晶片进行无污染的烘干处理。

目前，用于晶片湿法清洗后的烘干装置种类有很多，但是普遍存在结构复杂，操作繁琐，受热不均匀，容易损伤晶片质量，烘干效果差，干燥效率低，容易受污染等各种各样的弊端，甚至影响到后期晶片的使用寿命。

有鉴于此，特提出本实用新型。

实用新型内容

本实用新型的目的是提供一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，利用高温高压氮气对湿法清洗后的晶片进行烘干处理，结构简单，操作便捷，烘干速度快，干燥效果好，全程无污染，且受热均匀对晶片质量没有损害。

为了实现上述目的，本实用新型提供的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，其特征在于，包括储气罐、在线加热器和烘干槽本体，所述在线加热器通过管路分别与储气罐和烘干槽本体相通，所述烘干槽本体上方设有槽盖，内部设有多路喷淋管路，所述喷淋管路上设有喷嘴，所述在线加热器通向烘干槽本体的管路通过三通管件分为多路，分别与烘干槽本体内部的多路喷淋管路一一相通，所述储气罐底部设有烘干模块进气口，所述烘干槽本体底部设有烘干模块出气口。

优选地，所述喷淋管路设置于烘干槽本体的内部侧壁上。

优选地，所述喷淋管路通过管夹固定于烘干槽本体的内部侧壁上。

优选地，所述在线加热器通向烘干槽本体的管路通过三通管件分为四路，分别与烘干槽本体内部的四路喷淋管路一一相通。

优选地，所述喷淋管路上均匀分布有多个喷嘴。

优选地，所述喷淋管路上相邻喷嘴的间隔不大于30mm。

优选地，所述烘干槽本体上方的槽盖为手动槽盖。

优选地，所述烘干槽本体与槽盖之间设有密封装置。

本实用新型提供的一种用于晶片湿法清洗后的氮气烘干模块，具有如下有益效果。

1.本实用新型结构简单，操作便捷，烘干速度快，干燥效果好，全程无污染，且受热均匀对晶片质量没有损伤。

2.本实用新型烘干槽本体内的高温气体始终保持快速流动，可将晶体表面的液体迅速气化后带出烘干槽本体，烘干速度快，干燥效果好，且受热均匀对晶片质量没有损伤。

3.本实用新型烘干槽本体在工作时为封闭空间，且其内部气体始终保持一定的压力进行流动，确保了烘干模块内的晶片不被环境污染，具有快速且无污染烘干晶片的特性。

附图说明