[实用新型]MOSFET电路和电源

权利要求书

1.一种MOSFET电路，其特征在于，所述MOSFET电路包括：

具有栅极、源极和漏极的第一MOSFET；

与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET，所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极；以及

控制器，所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号，以在所述第一MOSFET的漏-源电压和所述第二MOSFET的漏-源电压基本上为零时接通或关断所述第一MOSFET和所述第二MOSFET。

2.根据权利要求1所述的MOSFET电路，其特征在于，所述MOSFET电路还包括具有电压轨和基准电位的电源，其中，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET联接在所述电压轨和所述基准电位之间。

3.根据权利要求2所述的MOSFET电路，其特征在于，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET联接以共享所述电压轨的电压，使得每个MOSFET两端的电压小于所述电压轨的电压。

4.根据权利要求1所述的MOSFET电路，其特征在于，所述第一MOSFET和所述第二MOSFET联接使得所述第一MOSFET两端的电压基本上等于所述第二MOSFET两端的电压。

5.根据权利要求1所述的MOSFET电路，其特征在于，所述MOSFET电路还包括：

位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的节点；以及

联接在所述第一MOSFET的栅极和所述节点之间的开关。

6.根据权利要求5所述的MOSFET电路，其特征在于，所述开关被所述控制信号控制，以防止所述第一MOSFET在所述控制信号处于逻辑低值时接通。

7.根据权利要求1所述的MOSFET电路，其特征在于，所述MOSFET电路还包括联接在所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的电压共享电路。

8.根据权利要求7所述的MOSFET电路，其特征在于，所述电压共享电路包括第一电阻器和与所述第一电阻器串联联接的第二电阻器，所述第一电阻器和所述第二电阻器位于所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的源极之间。

9.根据权利要求8所述的MOSFET电路，其特征在于，位于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的节点与位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的节点联接。

10.根据权利要求7所述的MOSFET电路，其特征在于，所述电压共享电路包括第一电容器和与所述第一电容器串联联接的第二电容器，所述第一电容器和所述第二电容器位于所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的源极之间。

11.根据权利要求10所述的MOSFET电路，其特征在于，位于所述第一电容器和所述第二电容器之间的节点与位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的节点联接。

12.根据权利要求1所述的MOSFET电路，其特征在于，所述MOSFET电路还包括具有阴极和阳极的二极管，所述阴极与所述第一MOSFET联接，所述阳极与所述控制器联接。

13.根据权利要求1至12中任一项所述的MOSFET电路，其特征在于，所述MOSFET电路还包括：

联接在所述控制器和所述第一MOSFET的栅极之间的第一栅极驱动电路，用于从所述控制器接收所述控制信号，并响应于所接收到的控制信号来操作所述第一MOSFET；和

联接在所述控制器和所述第二MOSFET的栅极之间的第二栅极驱动电路，用于从所述控制器接收所述控制信号，并响应于所接收到的控制信号来操作所述第二MOSFET。