[实用新型]MOSFET电路和电源

说明书

本实用新型涉及MOSFET电路和电源。示例性MOSFET电路包括具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极。该MOSFET电路还包括控制器，所述控制器配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号，以在第一MOSFET的漏‑源电压和第二MOSFET的漏‑源电压基本上为零时接通或关断第一MOSFET和第二MOSFET。还公开了其他MOSFET电路以及电源。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年4月7日提交的美国临时申请No.62/483,040的权益和优先权。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本实用新型涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)电路和电源。

背景技术

本部分提供与本实用新型相关的背景信息，这些背景信息不一定是现有技术。

多个MOSFET可以串联连接，其有时被称为“堆叠式”MOSFET配置。这些堆叠式MOSFET配置通常使用电容耦合以驱动堆叠式MOSFET配置中不同的MOSFET。具体地，电容器上的电荷变化用于获得用于MOSFET的栅极驱动信号。

实用新型内容

本部分提供了本实用新型的概述，并非其全部范围或全部特征的全面公开。

根据本实用新型的一个方面，一种MOSFET电路，包括：具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)；以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET包括栅极、源极和漏极。所述MOSFET电路还包括控制器，所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供控制信号，以在所述第一MOSFET的漏-源电压和所述第二MOSFET的漏-源电压基本上为零时接通或关断所述第一MOSFET和所述第二MOSFET。

根据本实用新型的另一方面，一种MOSFET电路，包括：具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。所述MOSFET电路还包括具有栅极、源极和漏极的第二MOSFET。所述第二MOSFET与所述第一MOSFET串联联接。电压共享电路联接在所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的源极之间。所述电压共享电路包括至少两个串联连接的电阻器或至少两个串联连接的电容器。所述MOSFET电路还包括控制器，所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号。

根据本实用新型的又一方面，公开了一种电源，所述电源包括主功率开关或同步整流器，所述主功率开关包括上述MOSFET电路或者所述同步整流器包括上述MOSFET电路。

根据本文提供的描述，其他方面和适用领域将变得显而易见。应该理解的是，本实用新型的各个方面可以单独实施或者与一个或更多个其他方面组合实施。还应该理解的是，这里的描述和具体示例仅用于示例的目的，而不意图限制本实用新型的范围。

附图说明

本文描述的附图仅用于选定的实施方式、而不是全部可能的实现方式的示例性目的，并且不旨在限制本实用新型的范围。

图1是根据本实用新型的一个示例性实施方式的MOSFET电路的电路图。

图2是根据本实用新型的另一示例性实施方式的包括电压共享电路的MOSFET电路的电路图。

图3是根据本实用新型的另一示例性实施方式的MOSFET电路的电路图。

图4是根据本实用新型的另一示例性实施方式的包括两个MOSFET电路的开关模式电源的电路图。