[实用新型]一种PEVCD卧式石墨舟结构有效
申请号: | 201820493615.6 | 申请日: | 2018-04-09 |
公开(公告)号: | CN208157378U | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 杨宝立;李时俊;伍波;张勇 | 申请(专利权)人: | 深圳市捷佳伟创新能源装备股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/673 | 分类号: | H01L21/673;H01L31/18 |
代理公司: | 深圳市康弘知识产权代理有限公司 44247 | 代理人: | 尹彦;胡朝阳 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙岗区横*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 石墨舟片 硅片 固定杆 石英炉管 石墨舟 层叠间隔 间隔设置 水平设置 阵列排列 整体设置 不良率 放入 黑边 竖直 贴合 | ||
一种PEVCD卧式石墨舟结构,包括多个固定杆、多个石墨舟片,所述的固定杆竖直间隔设置在石英炉管内,呈阵列排列;所述的石墨舟片水平设置且层叠间隔固定在所述的固定杆上,所述的固定杆、石墨舟片整体设置在石英炉管的内部,采用了石墨舟片水平的设置,硅片水平放入,当石墨舟结构在石英炉管里放置不水平的时候,硅片也还是贴合石墨舟片的,镀减反膜工艺后的硅片不会出现绕镀,硅片四周也不会产生黑边的问题,降低了硅片镀减反膜的不良率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能硅片的制作领域,更具体地说是一种PEVCD卧式石墨舟结构。
背景技术
在光伏行业,据测算,光在硅表面的反射损失率高达35%左右,减反膜可以极高地提高电池片对太阳光的利用率,有助于提高光生电流密度,进而提高转换效率。
PECVD用于对单晶硅片、多晶硅片的表面镀减反膜。在本行业的发展中,人们一直在追求工艺的提升,提升镀减反膜的良品率。其中,石墨舟结构在工艺提升方面也有至关重要的作用。
如图3和图4,目前市场上的石墨舟结构采用了立式镀减反膜的结构,石墨舟片2竖直设置,均匀层叠间隔的固定在固定杆1上,在需要镀反射膜时,把硅片竖直放置在石墨舟片之间,与石墨舟片贴合,最后把整个石墨舟结构放置在石英炉管内镀减反膜,由于硅片6需要竖直放置,所以也在石墨舟片上设置卡点(图中未示出),以防止硅片脱落。当石墨舟结构在石英炉管里放置不水平的时候,会出现硅片表面与石墨舟片表面贴合不紧的情况,从而导致硅片导电不良,工艺后的硅片出现绕镀,硅片四周会产生黑边,致使不良品率升高。
因此,需要一种新型的石墨舟结构来降低硅片镀减反膜工艺的不良率。
实用新型内容
本实用新型的目的是提供PEVCD卧式石墨舟结构,把石墨舟片水平设置,硅片能够水平放在石墨舟片上,提高硅片镀减反膜的良率。
为达上述目的,本实用新型采用的技术方案如下:
一种PEVCD卧式石墨舟结构,包括多个固定杆、多个石墨舟片,所述的固定杆竖直间隔设置在石英炉管内,呈阵列排列;所述的石墨舟片水平设置且层叠间隔固定在所述的固定杆上,所述的固定杆、石墨舟片整体设置在石英炉管的内部。
优选地,所述石墨舟片上设置有多个第一通孔,所述的固定杆穿过第一通孔,每两层石墨舟片之间还设置有分隔件,该分隔件上设置有第二通孔,所述的固定杆穿过所述的分隔件上的第二通孔。
优选地,所述的分隔件为圆柱状或是方块状。
优选地,石英炉管轴心两侧的固定杆的底部还固定设置有多个底座,该底座与石英炉管的内壁贴合。
优选地,所述的底座为类L型结构,包括水平壁和弧形壁,该水平壁固定设置在最下面的两个石墨舟片之间,该弧形壁的弧形外径与石英炉管的内径配合。
优选地,所述的水平壁上设置有第三通孔,固定杆穿过第三通孔。
优选地,所述的固定杆两端设置有螺纹,石墨舟片通过固定杆上的螺纹和螺母固定。
一种卧式硅片镀减反膜机,包括了上述的PEVCD卧式石墨舟结构。
与现有技术相比,本实用新型至少具有以下有益效果:
本实用新型PEVCD卧式石墨舟结构,采用了把石墨舟片水平设置,硅片水平放置在石墨舟片上,当石墨舟结构在石英炉管里放置不水平的时候,硅片也是贴合石墨舟片的,镀减反膜工艺后的硅片不会出现绕镀,硅片四周也不会产生黑边;由于硅片的放置面方向与水平方向平行,故不再需要卡点,所以镀膜工艺后的硅片表面不会留有印迹,降低了镀减反膜的不良率。
附图说明
图1为一实施例的侧视图;
图2为图1的立体结构图;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造