[实用新型]存储器及半导体器件

权利要求书

1.一种存储器，其特征在于，包括：

基底，所述基底上形成有呈阵列排布的多个有源区，所述有源区沿第二方向延伸，每一所述有源区中形成有一个源极与多个漏极，多个所述漏极位于所述源极的两侧；

多条位线，位于所述基底上，所述位线沿第一方向延伸且与相应的有源区相交，以连接所述相应的有源区的所述源极，并利用所述位线分隔所述相应的有源区中位于所述源极两侧的所述漏极；

间隔材料层，位于所述基底上，并且所述间隔材料层中形成有一开口，所述开口位于所述有源区的所述漏极的上方，并使所述有源区的所述漏极暴露在所述开口中；

多个存储节点接触，填充在所述间隔材料层的所述开口中，每个存储节点接触连接所述有源区中的一个漏极。

2.如权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述基底中还形成有至少一个隔离结构，所述隔离结构隔离在所述第一方向上相邻的所述有源区。

3.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：位于所述存储节点接触之间的所述隔离结构上的隔离绝缘墙，以及位于所述位线侧面的隔离绝缘墙，所述隔离绝缘墙为三层或多层结构。

4.如权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述隔离结构上的所述隔离绝缘墙包括第一介电隔离层、间隔材料层以及第二介电隔离层，所述位线侧面的隔离绝缘墙包括位线隔离层、间隔材料层及第一介电隔离层或所述位线侧面的隔离绝缘墙包括位线隔离层、间隔材料层及第二介电隔离层，其中，所述间隔材料层的材质包含氧化硅或氮化硅中的其中之一，所述位线隔离层的材质包含氧化硅和氮化硅中的其中之一，所述第一介电隔离层与第二介电隔离层的材质包含氧化硅和氮化硅中的其中之一，且所述位线隔离层与所述介电隔离层的材质皆异于所述间隔材料层的材质。

5.如权利要求2所述的存储器，其特征在于，所述存储器还包括：

多条字线，位于所述基底中，每一所述有源区均与两条所述字线相交，两条所述字线中与所述有源区相交的部分分别构成两个存储晶体管的栅极；

其中，所述源极位于两条所述字线之间的所述有源区中，所述漏极位于所述有源区中所述字线远离所述源极的一侧。

6.一种半导体器件，其特征在于，包括：

基板，所述基板上形成有呈阵列排布的多个有源区，所述有源区沿第二方向延伸，每一所述有源区中形成有一个源极与多个漏极，多个所述漏极位于所述源极的两侧；

多条导体线，位于所述基板上，所述导体线沿第一方向延伸且与相应的有源区相交，以连接所述相应的有源区的所述源极，并利用所述导体线分隔所述相应的有源区中位于所述源极两侧的所述漏极；

间隔材料层，位于所述基板上，并且所述间隔材料层中形成有一开口，所述开口位于所述有源区的所述漏极的上方，并使所述有源区的所述漏极暴露在所述开口中；

多个接触部，填充在所述间隔材料层的所述开口中，每个接触部连接所述有源区中的一个漏极。