[实用新型]存储器及半导体器件

说明书

本实用新型提供了一种存储器及半导体器件，在基底以及位线上形成有间隔材料层，在所述间隔材料层中形成有一开口，所述开口位于所述有源区的所述漏极的上方，并使所述有源区的所述漏极暴露在所述开口中，多个存储节点接触填充在所述间隔材料层的所述开口中，每个存储节点接触连接所述有源区中的一个漏极，以此提高存储器的性能。并且，在所述存储节点接触之间的所述隔离结构上形成有隔离绝缘墙，所述隔离绝缘墙为三层或多层结构，以此提高存储节点接触之间在隔离结构上的电性隔离效果。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，特别涉及一种存储器及半导体器件。

背景技术

存储器中通常包括电容器及晶体管，其中，所述电容器用以存储数据，所述晶体管用以控制对所述电容器中存储的数据的存取。具体的，所述存储器的字线(word line)电连接至所述晶体管的栅极，所述字线控制所述晶体管的开关；并且，所述晶体管的源极电连接至位线(bit line)，以形成电流传输通路；同时，所述晶体管的漏极电连接至所述电容器，以达到数据存储或输出的目的。其中，所述晶体管的漏极通常通过存储节点接触实现与所述电容器的电连接，相邻的存储节点接触之间通过接触间隔予以隔离。

现有技术所形成的存储节点接触与理想的垂直图形有差异，从而导致对存储的数据的存取存在一定的信号延迟失效问题。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种存储器及半导体器件，以解决现有技术中形成的存储节点接触结构不理想的问题。

为解决上述技术问题，本实用新型提供一种存储器，包括：

基底，所述基底上形成有呈阵列排布的多个有源区，所述有源区沿第二方向延伸，每一所述有源区中形成有一个源极与多个漏极，多个所述漏极位于所述源极的两侧；

多条位线，位于所述基底上，所述位线沿第一方向延伸且与相应的有源区相交，以连接所述相应的有源区的所述源极，并利用所述位线分隔所述相应的有源区中位于所述源极两侧的所述漏极；

间隔材料层，位于所述基底上，并且所述间隔材料层中形成有一开口，所述开口位于所述有源区的所述漏极的上方，并使所述有源区的所述漏极暴露在所述开口中；

多个存储节点接触，填充在所述间隔材料层的所述开口中，每个存储节点接触连接所述有源区中的一个漏极。

可选的，所述基底中还形成有至少一个隔离结构，所述隔离结构隔离在所述第一方向上相邻的所述有源区。

可选的，所述存储器还包括：位于所述存储节点接触之间的所述隔离结构上的隔离绝缘墙，以及位于所述位线侧面的隔离绝缘墙，所述隔离绝缘墙为三层或多层结构。

可选的，所述隔离结构上的所述隔离绝缘墙包括第一介电隔离层、间隔材料层以及第二介电隔离层，所述位线侧面的隔离绝缘墙包括位线隔离层、间隔材料层及第一介电隔离层或所述位线侧面的隔离绝缘墙包括位线隔离层、间隔材料层及第二介电隔离层，其中，所述间隔材料层的材质包含氧化硅或氮化硅中的其中之一，所述位线隔离层的材质包含氧化硅和氮化硅中的其中之一，所述第一介电隔离层与第二介电隔离层的材质包含氧化硅和氮化硅中的其中之一，且所述位线隔离层与所述介电隔离层的材质皆异于所述间隔材料层的材质。

可选的，所述存储器还包括：

多条字线，位于所述基底中，每一所述有源区均与两条所述字线相交，两条所述字线中与所述有源区相交的部分分别构成两个存储晶体管的栅极；

其中，所述源极位于两条所述字线之间的所述有源区中，所述漏极位于所述有源区中所述字线远离所述源极的一侧。

可选的，所述存储器还包括：

至少一条隔离结构，位于所述基底中，所述隔离结构隔离在所述第一方向上相邻的所述有源区。