[实用新型]一种ESD保护电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块

权利要求书

1.一种ESD保护电路，其特征在于，包括：动态监测电路和电流泄放通路；

所述动态监测电路的第一端分别与所述电流泄放通路的第一端和电压输入端电连接；第二端分别与所述电流泄放通路的第二端和地端电连接；输出端与所述电流泄放通路的控制端电连接，用于控制所述电流泄放通路的导通；

其中，所述动态监测电路包括至少一个串联连接的正向钳位二极管、电阻和反向钳位二极管；所述至少一个正向钳位二极管中的第一个正向钳位二极管的正极与所述电压输入端电连接，所述至少一个正向钳位二极管中的最后一个正向钳位二极管的负极与所述电阻的第一端电连接，并与所述电流泄放通路的控制端电连接；所述电阻的第二端与所述地端电连接；所述反向钳位二极管的负极与所述电阻的第一端电连接，正极与所述电阻的第二端电连接。

2.根据权利要求1所述的ESD保护电路，其特征在于，所述电流泄放通路包括：泄放开关管；

所述泄放开关管的控制端与所述动态监测电路的输出端电连接，第一端与所述电压输入端电连接，第二端与所述地端电连接。

3.根据权利要求2所述的ESD保护电路，其特征在于：

所述泄放开关管为基于砷化镓GaAs工艺的赝调制掺杂异质结场效应PHEMT泄放晶体管。

4.根据权利要求3所述的ESD保护电路，其特征在于：所述正向钳位二极管和所述反向钳位二极管均由基于GaAs工艺的PHEMT钳位晶体管以二极管连接方式构成。

5.根据权利要求4所述的ESD保护电路，其特征在于：

所述二极管连接方式为所述PHEMT钳位晶体管的源极和漏极短接作为所述正向钳位二极管或所述反向钳位二极管的负极，并将所述PHEMT钳位晶体管的栅极作为所述正向钳位二极管或所述反向钳位二极管的正极。

6.根据权利要求4所述的ESD保护电路，其特征在于：

所述PHEMT泄放晶体管的尺寸大于所述PHEMT钳位晶体管的尺寸。

7.根据权利要求2所述的ESD保护电路，其特征在于：

每个正向钳位二极管的开启电压均相同。

8.根据权利要求7所述的ESD保护电路，其特征在于，所述至少一个正向钳位二极管的个数n与所述电压输入端输入的工作电压的最大值(V_IN)_max的关系为：

(V_IN)_max≤n·V_T+V_TM

其中：V_T为单个正向钳位二极管的开启电压，V_TM为所述泄放开关管的阈值电压。

9.一种基于GaAs PHEMT工艺的集成模块，其特征在于，包括上述权利要求1-8任一项所述的ESD保护电路。

10.根据权利要求9所述基于GaAs PHEMT工艺的集成模块，其特征在于，还包括：工作电路；

所述工作电路的电源电压输入端与所述ESD保护电路的电流泄放通路的第一端电连接，接地端与所述电流泄放通路的第二端电连接。