[实用新型]一种ESD保护电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块

说明书

本实用新型实施例公开了一种ESD保护电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块。其中，ESD保护电路包括：动态监测电路和电流泄放通路；动态监测电路包括至少一个串联连接正向钳位二极管、电阻和反向钳位二极管；至少一个正向钳位二极管中的第一个正向钳位二极管的正极与电压输入端电连接，至少一个正向钳位二极管中的最后一个正向钳位二极管的负极与电阻的第一端电连接，并与电流泄放通路的控制端电连接；电阻的第二端与地端电连接；反向钳位二极管的负极与电阻的第一端电连接，正极与电阻的第二端电连接。本实用新型实施例提供的技术方案，可解决现有GaAs PHEMT工艺的芯片易受ESD影响的问题。

技术领域

本实用新型实施例涉及射频集成电路技术领域，尤其涉及一种ESD保护电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块。

背景技术

静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)是指具有不同静电电位的物体相互靠近或直接接触引起的电荷转移，可形成高电压，强电场，瞬时大电流，并伴有强电磁辐射，形成静电放电电磁脉冲。在电子制造业中，静电的来源是多方面的，如人体、塑料制品、有关的仪器设备以及电子元器件本身。

在制造和应用过程中，环境中的ESD会对芯片引脚产生瞬态的高压，该高压会击穿器件。随着集成电路制造技术的发展，特征尺寸的不断缩小，使得ESD对集成电路的影响越来越大。

在射频通信系统中，目前广泛采用砷化镓(GaAs)赝调制掺杂异质结场效应晶体管(pseudomorphic high-electron-mobility transistor，PHEMT)工艺实现超高速、低功耗和低噪声的射频前端芯片。该工艺的工作电路对ESD具有较高的敏感性，并且ESD具有放电电流大、放电时间短的特点，当静电电流流入芯片的工作电路时，对电路元件的损坏较为严重。

实用新型内容

本实用新型提供一种ESD保护电路及基于GaAs PHEMT工艺的集成模块，以解决现有GaAs PHEMT工艺的芯片易受ESD影响的问题。

第一方面，本实用新型实施例提供了一种ESD保护电路，包括：动态监测电路和电流泄放通路；

所述动态监测电路的第一端分别与所述电流泄放通路的第一端和电压输入端电连接；第二端分别与所述电流泄放通路的第二端和地端电连接；输出端与所述电流泄放通路的控制端电连接，用于控制所述电流泄放通路的导通；

其中，所述动态监测电路包括至少一个串联连接的正向钳位二极管、电阻和反向钳位二极管；所述至少一个正向钳位二极管中的第一个正向钳位二极管的正极与所述电压输入端电连接，所述至少一个正向钳位二极管中的最后一个正向钳位二极管的负极与所述电阻的第一端电连接，并与所述电流泄放通路的控制端电连接；所述电阻的第二端与所述地端电连接；所述反向钳位二极管的负极与所述电阻的第一端电连接，正极与所述电阻的第二端电连接。

第二方面，本实用新型实施例还提供了一种基于GaAs PHEMT工艺的集成模块，包括本实用新型任意实施例所述的ESD保护电路。