[实用新型]基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构有效
| 申请号： | 201820550418.3 | 申请日： | 2018-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN208570660U | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 黎兆早;赖志文;翟永刚 | 申请（专利权）人： | 广州东有电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/48;H01L33/62;H01L33/60 |
| 代理公司： | 深圳市合道英联专利事务所(普通合伙) 44309 | 代理人： | 廉红果 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 透光 多层陶瓷基板 荧光陶瓷层 导电线路 银胶 高导热陶瓷层 本实用新型 荧光胶层 陶瓷层 耐压 均匀间隔排布 有效地实现 电性连接 发光效率 密集排布 散热问题 有效解决 热传导 结点 传递 | ||
1.一种基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：它包括多层陶瓷基板、设置在多层陶瓷基板上的LED芯片阵列、银胶导电线路和荧光胶层，所述多层陶瓷基板包括透光耐压陶瓷层、透光高导热陶瓷层和透光荧光陶瓷层，透光高导热陶瓷层设置在透光耐压陶瓷层与透光荧光陶瓷层之间，透光高导热陶瓷层的反面贴合在透光耐压陶瓷层的正面上，所述透光高导热陶瓷层的正面贴合在透光荧光陶瓷层的反面上；所述银胶导电线路设置在所述透光荧光陶瓷层的正面上；所述LED芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片，所述LED芯片以阵列形式密集排布于透光荧光陶瓷层的正面上且对应于银胶导电线路的位置，每一所述LED芯片均与银胶导电线路电性连接；所述荧光胶层盖设在所述LED芯片上。
2.根据权利要求1所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光高导热陶瓷层的导热率大于100W/mK。
3.根据权利要求1所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光荧光陶瓷层的厚度为50～200um。
4.根据权利要求1所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光高导热陶瓷层的厚度为200～500um。
5.根据权利要求1所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光耐压陶瓷层的厚度为300～500um。
6.根据权利要求1所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述银胶导电线路是通过沉积的导电银金属通过干法或湿法蚀刻形成在所述透光荧光陶瓷层上。
7.根据权利要求1所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述可降低LED芯片结温的LED光源结构还包括用于降低菲涅尔损失系数以提高LED芯片的出光效率的透光陶瓷透镜，所述透光陶瓷透镜的数量与所述LED芯片的数量保持一致，每一所述透光陶瓷透镜设置在透光荧光陶瓷层的正面上并相应于LED芯片的位置，并将LED芯片包覆在透光陶瓷透镜内。
8.根据权利要求7所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光陶瓷透镜为半球形、超半球形、半椭球形、棱形或菲涅尔透镜形。
9.根据权利要求7所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光陶瓷透镜的出光面镀增透膜，以在透光陶瓷透镜的透光表层形成出光增透膜层。
10.根据权利要求7所述的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，其特征在于：所述透光陶瓷透镜的入光面依次镀入光增透膜层和入光全反射膜层。
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