[实用新型]基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构

说明书

本实用新型公开了一种基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，它包括多层陶瓷基板、LED芯片阵列、银胶导电线路和荧光胶层，多层陶瓷基板包括透光耐压陶瓷层、透光高导热陶瓷层和透光荧光陶瓷层，透光高导热陶瓷层设在透光耐压陶瓷层与透光荧光陶瓷层之间；银胶导电线路设置在透光荧光陶瓷层的正面上；LED芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片，LED芯片均与银胶导电线路电性连接，所述荧光胶层盖设在LED芯片上。本实用新型可使得LED芯片工作时产生的热量比较充分均匀地传递到多层陶瓷基板上，显著降低了LED芯片工作结点温度，从而提升了LED芯片的发光效率，以有效地实现热传导和转移，从而可以有效解决多个密集排布的LED芯片的散热问题。

技术领域

本实用新型涉及一种LED光源结构，具体来说，涉及一种基于COB 封装的降低LED芯片结温的LED光源结构。

背景技术

随着LED技术的快速发展，其发光效率不断提高，以及价格不断下降，白光LED制备技术已日趋成熟，LED光源因具有光通量高、寿命长、结构小以及安全、高效、节能等诸多优点，已成为替代传统照明光源的最佳光源选择。

传统的基于COB封装结构的LED光源，通常是将LED芯片直接固晶在高反光率的镜面金属基板上或普通陶瓷基板上，然后通过打金线等方法将LED芯片形成串、并联连接，最后在LED芯片上方通过点胶方式点荧光胶。然而，LED芯片的光电转换效率一般为30％至50％，其在发光时将伴随产生大量的热，从而使得LED芯片周围的温度会到达150℃至200℃。其主要存在以下不足之处：一是LED芯片的使用寿命与出光光效是由其芯片的PN结温度决定的，如果不能及时将LED芯片周围的热量及时散发出去，使得温度降低到LED芯片工作的“舒适温度”，就会造成LED芯片的光效造成断崖式的快速衰减，而影响LED芯片的使用寿命与出光性能，如产生色漂移，出光不均匀等现象，即如果热量不能有效散出，芯片的温度上升会导致光效下降、光衰加剧，严重时可能烧毁芯片；二是由于镜面金属基板或普通陶瓷基板的正面通常是采用点荧光胶的方式，将荧光粉混合透明胶体材料直接涂覆到LED芯片上，而荧光粉在高温下长时间工作会导致非常严重的衰减，影响了LED光源的光效与稳定性，且硅胶在长时间高温下黄变导致光效下降。此外，需要进一步提高集成LED芯片的集成度以形成大功率LED光源，尚需要提高LED的发光效率以及提高基板的散热性能，例如作为金属基板或者陶瓷基板不仅需要具有高的导热率、电绝缘率，还需要具有高的电压击穿强度和荧光特性，而这些多性能要求仅仅通过单一的陶瓷功能层往往是难以同时实现的。

实用新型内容

针对以上的不足，本实用新型提供了一种可使得LED芯片工作时产生的热量比较充分均匀地传递到多层陶瓷基板上，显著降低了LED芯片工作结点温度，从而提升了LED芯片的发光效率，以有效地实现热传导和转移，从而可以有效解决多个密集排布的LED芯片的散热问题的基于COB封装的降低LED芯片结温的LED光源结构，它包括多层陶瓷基板、设置在多层陶瓷基板上的LED芯片阵列、银胶导电线路和荧光胶层，所述多层陶瓷基板包括透光耐压陶瓷层、透光高导热陶瓷层和透光荧光陶瓷层，透光高导热陶瓷层设置在透光耐压陶瓷层与透光荧光陶瓷层之间，透光高导热陶瓷层的反面贴合在透光耐压陶瓷层的正面上，所述透光高导热陶瓷层的正面贴合在透光荧光陶瓷层的反面上；所述银胶导电线路设置在所述透光荧光陶瓷层的正面上；所述LED芯片阵列包括若干均匀间隔排布的LED芯片，所述LED芯片以阵列形式密集排布于透光荧光陶瓷层的正面上且对应于银胶导电线路的位置，每一所述LED芯片均与银胶导电线路电性连接；所述荧光胶层盖设在所述LED芯片上。

为了进一步实现本发明，所述透光高导热陶瓷层的导热率大于 100W/mK。

为了进一步实现本发明，所述透光荧光陶瓷层的厚度为50～200um。

为了进一步实现本发明，所述透光高导热陶瓷层的厚度为 200～500um。

为了进一步实现本发明，所述透光耐压陶瓷层的厚度为300～500um。