[实用新型]一种晶圆破损侦测装置及检测机台有效
申请号: | 201820562207.1 | 申请日: | 2018-04-19 |
公开(公告)号: | CN208298791U | 公开(公告)日: | 2018-12-28 |
发明(设计)人: | 黄克辉 | 申请(专利权)人: | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 430205 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 光纤收发装置 晶圆 侦测 机台 预设距离 侦测装置 化学槽 种晶 破损 发射装置 发射接收装置 本实用新型 模数转换器 报警信息 对称分布 卡槽固定 控制电路 检测 处理器 多片 均布 组数 报废 破裂 | ||
本实用新型提供一种晶圆破损侦测装置及检测机台,其中多片待侦测晶圆通过一卡槽固定于化学槽内,光纤收发装置包括第一类光纤收发装置与第二类光纤收发装置;第一类光纤收发装置,均布于正对待侦测晶圆的待侦测面的位置,与待侦测晶圆的边缘设定一第一预设距离;第二类光纤收发装置,对称分布于待侦测晶圆的边缘的两侧,与待侦测晶圆的边缘设定一第二预设距离;第一类光纤收发装置为单发射装置,第二类光纤收发装置为发射接收装置;控制电路包括模数转换器与处理器。有益效果在于:通过调整光纤收发装置的位置和组数,使得晶圆在进出化学槽的过程中,能够及时侦测出晶圆破裂的情况,并及时发出报警信息而停止工作,避免过多的晶圆受到不良影响而导致报废。
技术领域
本实用新型涉及半导体设备技术领域,尤其涉及一种晶圆破损侦测装置及检测机台。
背景技术
化学蚀刻装置是利用化学蚀刻法(又称湿法刻蚀),用化学溶液直接对工件未被保护的部位进行化学腐蚀。
在湿法刻蚀工作台中,如图1所示,传统的晶圆侦测传感器包括一对发射器1a与一对接收器1b,通过一对发射器1a发射分别在晶圆1c的边缘两侧发射一对光纤,一对接收器1b分别接收对射来的一对光纤,以侦测进出化学槽的晶圆是否正常。但只有在所有晶圆都破损的情况下,传感器才会被触发导致机台报警;当位置在中间的晶圆破掉而未及时侦测时,会导致在化学槽里面有晶圆碎渣,并且会影响下一批晶圆进入化学槽时而受损。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题,现提供一种晶圆破损侦测装置及检测机台。
具体技术方案如下:
一种晶圆破损侦测装置,应用于晶圆进行清洗和蚀刻的破片侦测过程中,其中,多片待侦测晶圆通过一卡槽固定于化学槽内,包括:
一光纤收发装置,所述光纤收发装置包括第一类光纤收发装置与第二类光纤收发装置;
所述第一类光纤收发装置,均布于正对所述待侦测晶圆的待侦测面的位置,与所述待侦测晶圆的边缘设定一第一预设距离;
所述第二类光纤收发装置,对称分布于所述待侦测晶圆的边缘的两侧,与所述待侦测晶圆的边缘设定一第二预设距离;
所述第一类光纤收发装置为单发射装置,所述第二类光纤收发装置为发射接收装置;
一控制电路,所述控制电路包括模数转换器与处理器;
所述模数转换器的输入端连接所述第二类光纤收发装置的输出端;
所述处理器的输入端连接所述模数转换器的输出端。
优选的,所述第一预设距离为每两块所述待侦测晶圆之间的距离大小;
所述第二预设距离为所述待侦测晶圆的直径大小。
优选的,至少设置两个所述第一类光纤收发装置,分别向所述待侦测晶圆的边缘发射光信号。
优选的,每个所述第二类光纤收发装置分别向相邻的所述待侦测晶圆的边缘发射光信号,经过反射至所述第二类光纤收发装置对应的所述待侦测晶圆的边缘。
优选的,所述第一类光纤收发装置与所述第二类光纤收发装置的光发射角相同,均为所述第二预设距离与所述第一预设距离的比值的反正切。
优选的,所述处理器内设置一报警装置。
优选的,所述待侦测晶圆于一第一状态时,所述待侦测晶圆阻碍所述第二类光纤收发装置接收所述光信号;
所述待侦测晶圆于一第二状态时,所述待侦测晶圆消除所述第二类光纤收发装置接收所述光信号。
优选的,所述第一状态为所述待侦测晶圆的边缘完整的情况;
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司,未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820562207.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:太阳能电池片测试探针排
- 下一篇:一种叠瓦电池片空焊测试装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造