[实用新型]具有显示监测功能的气体温度调节装置

说明书

一种具有显示监测功能的气体温度调节装置，包含有：一机壳，其外侧设有一输入口及一输出口；一散热模块，设于所述机壳内；一致冷模块，组接于所述散热模块；一降温结构，组设所述致冷模块，并具有至少一流道，所述流道分别连通所述输入口及所述输出口；一运算处理模块，电性连接所述散热模块及所述致冷模块；一侦测模块，电性连接所述运算处理模块及所述致冷模块，并用以对所述流道内的流量及温度进行感测；及一显示设置模块，组设于机壳的外侧，并电性连接运算处理模块及侦测模块；以此，本实用新型通过显示监测机制，以供半导体制程中或系统测试中让工作人员可以降低设定或保养时的人为疏失，以及快速辨别出异常问题点，并尽早排除异常情况。

技术领域

本实用新型与一种用于半导体制程的温度调节装置有关，特别是指一种具有显示监测功能的气体温度调节装置。

背景技术

用于制造半导体的某些工艺可能需要复杂的工艺以使外延层生长来创建多层半导体结构以用于制造高性能装置；在该工艺中，外延层是透过被称为化学气相沉积(CVD)的一般工艺而生长的。一种类型的CVD工艺被称为金属有机化学气相沉积(MOCVD)。在MOCVD中，将反应气体导入使反应气体沉积在衬底(通常被称为芯片)上以生长薄外延层的受控环境内的密封的反应室中。

然而，在外延层生长期间，控制若干个工艺参数，如温度、压力和气体流量，从而在外延层中实现所需的质量。又，以氮化镓系化合物半导体为例，其经常用作发光二极管及/或雷射二极管等的组件；而该氮化镓系化合物半导体的制造步骤(氮化镓系化合物半导体制程)通常通过下述方式进行：利用MOCVD法在蓝宝石等基板上使氮化镓系化合物气相生长；并作为该制造步骤中使用的原料气体，例如除了使用三甲基镓、三甲基铟、三甲基铝作为第III族的金属源之外，还使用氨作为第V族的氮源；另外，除了这些原料气体之外，还使用氢以及氮作为载体气体。

再者，现今半导体系统设备中，以MOCVD系统设备为例，于MOCVD系统设备内的气体控制系统(Gas handling&mixing system)中，具有针对载体气体进行调控温度的设备，其主要透过压缩机来运作，但是由于压缩机的设置系会形成一组大型的设备，且不但能够安静的运作，从而整体设备体积大，且未有效地能于半导体制程中控制在测试要求的温度。

因此，乃有业者针对上述缺失，进一步开发出一用于MOCVD系统设备的温度调节装置，但是，由于所述温度调节装置并无设置相关警示装置或功能，假若于制程中气体温度调节装置发生系统异常的情形时，例如，温度、流量未在设定值内，其将造成晶圆制造时的不稳定。此外，由于运作时的温度、流量不稳定的情形往往无法预先得知，有时会在产品已制造完成后才发现此问题，但对产品的良率已然造成一定影响，并使得晶圆公司的生产成本增加。

是以，本案申请人在观察到上述缺失后，而遂有本实用新型的产生。

实用新型内容

本实用新型的主要目的是在提供一种具有显示监测功能的气体温度调节装置，其通过显示监测机制，以供半导体制程中或系统测试中让工作人员可以降低设定或保养时的人为疏失，以及工作人员能够依据显示的数值而快速诊断，并辨别出异常问题点，从而达到实时察觉异常问题，并尽早排除异常情况；另外，本实用新型更搭配致冷芯片的设置，以对半导体制程用的载体气体进行降温动作，能达到效能佳、温控佳、作业便利、大幅降低成本以及能有效地控制温度的目的。