[实用新型]微发光二极管显示器的发光单元共平面结构有效
申请号: | 201820586776.X | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN208284479U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 璩泽明;庄峰辉 | 申请(专利权)人: | 茂邦电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光单元 微发光二极管 显示器 蓝LED芯片 共平面 载板 高度差 本实用新型 发光均匀度 基板 容置 视角 | ||
1.一种微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其中该微发光二极管显示器是由多个发光单元在一基板上排列形成一阵列所构成,其中该发光单元是由红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片排列且电性链接地设在一载板上所构成,该载板具有一第一面及相对的一第二面,其中该红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片以覆晶式封装以使各LED芯片的第一面分别电性连结地设在该载板的第一面上所各预定的对应位置处,并通过该载板所预设的各连接线路以分别向该红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片提供发光所需的电力;其特征在于:
在该发光单元所包含的该红LED芯片、绿LED芯片及蓝LED芯片之中,至少一LED芯片的高度相对大于其余各LED芯片的高度,以致高度相对较大的各LED芯片的高度与其余各LED芯片的高度之间形成一高度差;
其中在该载板的第一面上供设置高度相对较大的各LED芯片的各对应位置处各设有一凹槽供高度相相对较大的各LED芯片置入并形成电性连结,其中各凹槽具有一深度且该深度近乎等于该高度差,以使该红LED芯片、绿LED芯片及蓝LED芯片在发光时,各LED芯片的第二面能形成共平面状态。
2.如权利要求1所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其特征在于,该高度相对较大的LED芯片是该红LED芯片,而其他各LED芯片是该绿LED芯片及该蓝LED芯片。
3.如权利要求2所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其特征在于,该绿LED芯片与该蓝LED芯片具有相等的高度,因此该红LED芯片的高度相对大于该绿LED芯片及该蓝LED芯片的高度,因此在二者高度之间形成该高度差。
4.如权利要求2所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其特征在于,该红LED芯片、绿LED芯片、蓝LED芯片设在该载板的第一面上的位置形成一线形排列或等腰三角形排列,其中当形成等腰三角形排列时,该红LED芯片位于等腰三角形的顶角而绿LED芯片及蓝LED芯片位于等腰三角形的其余两角。
5.如权利要求2所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其特征在于,当该红LED芯片、该绿LED芯片及该蓝LED芯片皆为水平式芯片时,各芯片具有至少两个晶垫且该至少两个晶垫分开地设在各LED芯片的第一面上,其中当各LED芯片以覆晶方式分别电性连结地设在该载板上时,设在各LED芯片的第一面上的各晶垫分别通过导电材以分开地电性连结至该载板所预设的各连接线路。
6.如权利要求2所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其特征在于,当该红LED芯片为垂直式芯片而该绿LED芯片与该蓝LED芯片为水平式芯片时,该红LED芯片具有至少两个晶垫且其中至少一晶垫设在该红LED芯片的第一面上,而其他至少一晶垫设在该红LED芯片的相对的第二面上;其中当各LED芯片以覆晶方式分别电性连结地设在该载板上时,设在该红LED芯片第一面上的至少一晶垫及设在该绿LED芯片与该蓝LED芯片第一面上的各晶垫分别通过导电材以分开地电性连结至该载板所预设的各连接线路,而设在该红LED芯片第二面上的至少一晶垫则通过导电材以电性连结至设在该载板第一面上且位于该凹槽外缘所预设的一连接线路上。
7.如权利要求1所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其特征在于,该载板上所预设的各连接线路包含平面式线路层、穿孔式线路或其组合。
8.如权利要求2所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其特征在于,在该载板第一面上供设置该绿LED芯片与该蓝LED芯片的对应位置处进一步各设有一凹槽供分别置入该绿LED芯片与该蓝LED芯片并形成电性连结。
9.如权利要求1所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其特征在于,在各该凹槽中进一步填满至少一保护材。
10.如权利要求1所述的微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,其特征在于,该发光单元1的载板与该微发光二极管显示器的基板形成一体。
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