[实用新型]微发光二极管显示器的发光单元共平面结构有效
申请号: | 201820586776.X | 申请日: | 2018-04-23 |
公开(公告)号: | CN208284479U | 公开(公告)日: | 2018-12-25 |
发明(设计)人: | 璩泽明;庄峰辉 | 申请(专利权)人: | 茂邦电子有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光单元 微发光二极管 显示器 蓝LED芯片 共平面 载板 高度差 本实用新型 发光均匀度 基板 容置 视角 | ||
本实用新型公开了一种微发光二极管显示器的发光单元共平面结构,该微发光二极管显示器是由多个发光单元在一基板上排列形成一阵列所构成,该发光单元是由红、绿、蓝LED芯片排列设在一载板上所构成,其中:在该发光单元所包含的红、绿、蓝LED芯片中至少有一LED芯片的高度相对大于其余各LED芯片的高度以致其间形成一高度差,其中在该载板第一面上设有至少一凹槽供容置该高度相对较大的LED芯片,其中各凹槽具有一深度且该深度近乎等于该高度差,藉此该红、绿、蓝LED芯片能在该载板上形成共平面状态以增进该微发光二极管显示器在不同视角的发光均匀度。
技术领域
本实用新型涉及一种微发光二极管显示器的发光单元结构,尤指一种在该发光单元中供设置红、绿、蓝LED芯片的载板上设置至少一凹槽以供容置该红、绿、蓝LED芯片中高度相对较大的LED芯片,藉此使该红、绿、蓝LED芯片能在该载板上形成共平面状态以增进该微发光二极管显示器在不同视角的发光均匀度。
背景技术
微发光二极管显示器(Micro LED Display)为新一代显示技术,其结构是微型化LED阵列,即在一基板(芯片)上集成的高密度微小尺寸的LED阵列,故微LED技术可视为LED微缩化及矩阵化技术,而微LED显示器的结构设计可看成是户外LED显示器的微缩版,也就是将像素点距离从毫米级降低至微米级。
在此以图1为例说明但不限制,本实用新型所指的微发光二极管(LED)显示器是由多个发光单元1在一基板(芯片)1a上排列形成一阵列所构成,其中各发光单元1是由一红LED芯片10、一绿LED芯片20、一蓝LED芯片30排列且电性连结地设在一载板40上所构成如图1所示但不限制,例如该发光单元1的载板40更可与该微发光二极管显示器的基板1a形成一体,即各发光单元1的红LED芯片10、绿LED芯片20、蓝LED芯片30可以直接排列且电性连结地设在该基板1a但不限制。此外,该载板40具有一第一面41及相对的一第二面42如图2所示但不限制,其中该红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)一般是通过覆晶式封装但不限制,以使各芯片(10、20、30)的第一面(11、21、31)分别电性连结地设在该载板40的第一面41上所各预定的对应位置(10a、20a、30a)处(如图1所示),并通过该载板40所预设的各连接线路43(43a、43b、43c)但不限制以分别提供该红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)发光所需的电力。
以LED芯片上各晶垫(如P/N极)的设置型态而言,目前使用的红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)可分成垂直式芯片及水平式芯片,其中垂直式芯片是指其具有至少两个晶垫(如P/N极)且分开设在该芯片的一第一表面及相对的第二表面上,而水平式芯片是指其具有至少两个晶垫但同设在该芯片的同一表面上。此外,以目前微LED芯片的生产技术而言,水平式芯片虽然有利于覆晶式封装作业,但水平式芯片的制作成本相对较高,不利于微发光二极管(LED)显示器的成本控制;尤其,以现有的红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)而言,红LED芯片(10)的高度相对大于绿、蓝LED芯片(20、30)的高度,而绿、蓝LED芯片(20、30)的高度约略相等,即高度相对较大的LED芯片(如红LED芯片10但不限制)与其余各LED芯片(如绿、蓝LED芯片20、30但不限制)的高度之间已然形成一高度差;因此当现有的红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)封装在该发光单元1的载板40(或基板1a)的同一平面上时,由正面视之(如图1所示的正视角度),红、绿、蓝LED芯片(10、20、30)的发光均匀度并不受到影响,但斜角视之(倾斜于如图1所示的正视角度),因红LED芯片(10)的高度较高而会见到较多红光以致影响该发光单元的发光均匀度。
由上可知,针对微发光二极管显示器的发光单元而言,如何有效解决因为红、绿、蓝LED芯片具有不同的高度而相对会影响该发光单元在斜视角时发光均匀度的问题,仍存有改进的需要,本实用新型即针对上述需要而提出解决方案。
实用新型内容
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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