[实用新型]间接式的平板探测器有效
| 申请号： | 201820596658.7 | 申请日： | 2018-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN208077623U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 李鑫;陈叠峰;田鹏程 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
| 主分类号： | G21K4/00 | 分类号： | G21K4/00;H05K9/00;G01T1/164;G01T1/24 |
| 代理公司： | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人： | 刘延喜 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 防静电层 导电层 平板探测器 成像单元 间接式 绝缘层 本实用新型 静电 绝缘 透明导电层 成像效果 偏置电压 短路 | ||
1.一种间接式的平板探测器，包括：
成像单元、位于所述成像单元上用于提供偏置电压的偏压导电层；其特征在于，还包括：
位于所述偏压导电层上的第一防静电层，所述第一防静电层通过第一绝缘层与所述偏压导电层相绝缘，所述第一防静电层包括第一透明导电层。
2.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述第一透明导电层位于所述偏压导电层上方覆盖所述偏压导电层，且与所述偏压导电层的形状一致。
3.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述第一透明导电层接地；或者
还包括：设置于成像单元周边的第二防静电层，该第二防静电层与所述第一透明导电层连接且接地。
4.根据权利要求1所述的平板探测器，其特征在于，所述第一防静电层还包括位于所述第一透明导电层上的与所述第一透明导电层相绝缘设置的第二透明导电层；
所述第一透明导电层与所述第二透明导电层相连，且所述第一透明导电层与所述第二透明导电层均接地；或者，所述平板探测器还包括：设置于成像单元周边的第三防静电层，该第三防静电层与所述第一透明导电层和所述第二透明导电层连接且接地，所述第一透明导电层与所述第二透明导电层相连。
5.根据权利要求4所述的平板探测器，其特征在于，所述第二透明导电层位于所述第一透明导电层上方覆盖所述第一透明导电层，且所述第二透明导电层与所述第一透明导电层的形状一致。
6.根据权利要求5所述的平板探测器，其特征在于，所述第一透明导电层与第二透明导电层为网状的氧化铟锡或氧化铟锌膜。
7.根据权利要求6所述的平板探测器，其特征在于，所述第一透明导电层的厚度为300～700纳米，所述第二透明导电层的厚度为300～700纳米。
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