[实用新型]间接式的平板探测器有效
申请号: | 201820596658.7 | 申请日: | 2018-04-24 |
公开(公告)号: | CN208077623U | 公开(公告)日: | 2018-11-09 |
发明(设计)人: | 李鑫;陈叠峰;田鹏程 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | G21K4/00 | 分类号: | G21K4/00;H05K9/00;G01T1/164;G01T1/24 |
代理公司: | 北京市立方律师事务所 11330 | 代理人: | 刘延喜 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 防静电层 导电层 平板探测器 成像单元 间接式 绝缘层 本实用新型 静电 绝缘 透明导电层 成像效果 偏置电压 短路 | ||
本实用新型提供了间接式的平板探测器。该间接式的平板探测器包括:成像单元、位于成像单元上用于提供偏置电压的偏压导电层、位于偏压导电层上的第一防静电层,第一防静电层通过第一绝缘层与偏压导电层相绝缘,第一防静电层包括第一透明导电层。在本实用新型实施例提供的平板探测器中,在偏压导电层上设置第一防静电层,且通过第一绝缘层实现该第一防静电层与偏压导电层之间相互绝缘,防止该第一防静电层与偏压导电层之间相互短路;并且该第一防静电层用于将在该第一防静电层上产生的静电导向大地,避免了静电通过偏压导电层导入成像单元,从而对成像单元的成像效果产生干扰的问题。
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,具体而言,本实用新型涉及间接式的平板探测器。
背景技术
目前,由于X射线摄影(Digital Radiography,DR)设备可以清晰地拍摄出病人体内的多种器官,被广泛地应用在医疗成像技术领域中。
现有的DR设备通常采用一维或二维的平板X射线探测器(Flat X-ray PanelDetector,FPXD),X射线探测器可将X射线信息转化为数字图像信息。现有的DR设备大部分采用二维平板X射线探测器,二维平板X射线探测器包含有直接平板探测器和间接式平板探测器,其中,间接式平板探测器的应用尤为广泛。
现有的间接式平板探测器对静电较为敏感,通过测试实验发现当间接式平板探测器中的成像单元表面的静电大于300伏时,间接式平板探测器很容易出现工作异常的情况,具体包括:间接式平板探测器中的成像单元由于静电干扰出现图像显示异常,或直接导致间接式平板探测器损坏无法工作等状况。
通常成品的间接式平板探测器设置有金属外壳或外框,通过该金属外壳或外框可将平板探测器中的静电导出,减少了静电损坏的几率。但在实际制作间接式平板探测器的过程中,由于没有金属外壳或外框的保护,平板探测器的抗静电能力较差,例如,平板探测器上设置有一层膜(例如,闪烁体或荧光体层),该膜用于将X射线转化为可见光,在平板探测器上贴附该膜时,很容易在与该膜相贴附的膜层上产生静电,由于平板探测器的抗静电能力较差,会通过平板探测器上的各导电膜层将该静电传递到成像单元,从而对成像单元造成损坏,使得平板探测器的成品率/质量下降。
实用新型内容
针对上述问题,本实用新型提出了间接式的平板探测器,具体在平板探测器中的膜层中增加防静电层,使得平板探测器中的静电可通过防静电层导出,提高了间接式的平板探测器的抗静电能力,尤其是提高了在制作间接式平板探测器的过程中平板探测器的抗静电能力。
本实用新型实施例提供了一种间接式的平板探测器,包括:
成像单元、位于成像单元上用于提供偏置电压的偏压导电层、位于偏压导电层上的第一防静电层,第一防静电层通过第一绝缘层与偏压导电层相绝缘,第一防静电层包括第一透明导电层。
优选地,第一透明导电层位于偏压导电层上方覆盖偏压导电层,且与偏压导电层的形状一致。
优选地,第一透明导电层接地;或者
还包括:设置于成像单元周边的第二防静电层,该第二防静电层与第一透明导电层连接且接地。
优选地,第一防静电层还包括位于第一透明导电层上的与第一透明导电层相绝缘设置的第二透明导电层;
第一透明导电层与第二透明导电层相连,且第一透明导电层与第二透明导电层均接地;或者,本实用新型提供的平板探测器还包括:设置于成像单元周边的第三防静电层,该第三防静电层与第一透明导电层和第二透明导电层连接且接地,第一透明导电层与第二透明导电层相连。
优选地,第二透明导电层位于第一透明导电层上方覆盖第一透明导电层,且第二透明导电层与第一透明导电层的形状一致。
优选地,第一透明导电层与第二透明导电层为网状的氧化铟锡或氧化铟锌膜;
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