[实用新型]阳极结构有效
| 申请号： | 201820602907.9 | 申请日： | 2018-04-25 |
| 公开（公告）号： | CN208173631U | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 王波;祝晓钊;史晓波;王江南;冯敏强;廖良生 | 申请（专利权）人： | 江苏集萃有机光电技术研究所有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/52 | 分类号： | H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 梁香美 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阳极层 阳极结构 结构层 衬底 制作 半导体技术领域 本实用新型 启动电压 功函数 应用 | ||
1.一种阳极结构，其特征在于，包括：
衬底；
制作于所述衬底的第一阳极层；
制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；
制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层。
2.根据权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述衬底为硅片、玻璃、PET结构或PI结构，所述第一阳极层为Cr结构层、Ti结构层或Cr：Ti结构层。
3.根据权利要求2所述的阳极结构，其特征在于，所述衬底为硅片，所述第一阳极层为Cr结构层，所述第三阳极层为AlTiN结构层。
4.根据权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，所述衬底的厚度为0.01-2mm，所述第一阳极层的厚度为1-50nm，所述第二阳极层的厚度为30-1000nm，所述第三阳极层的厚度为1-30nm。
5.根据权利要求4所述的阳极结构，其特征在于，所述第一阳极层的厚度为10nm，所述第二阳极层的厚度为50nm，所述第三阳极层的厚度为10nm。
6.根据权利要求1所述的阳极结构，其特征在于，还包括：
制作于所述衬底的钝化层，该钝化层位于所述衬底与所述第一阳极层之间。
7.根据权利要求6所述的阳极结构，其特征在于，所述钝化层为SiO2结构层、SiNx结构层或SiO2和SiNx的混合结构层。
8.根据权利要求7所述的阳极结构，其特征在于，所述钝化层为SiO2结构层，且厚度为300nm。
9.一种阳极结构，其特征在于，包括：
衬底；
制作于所述衬底的第一阳极层；
制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；
制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层；
其中，所述第一阳极层、第二阳极层和第三阳极层分别为多个，且一一对应设置，各所述第一阳极层间隔设置，各所述第二阳极层间隔设置，各所述第三阳极层间隔设置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
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