[实用新型]阳极结构

说明书

本实用新型提供的阳极结构，涉及半导体技术领域。其中，阳极结构包括：衬底；制作于所述衬底的第一阳极层；制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层。通过上述设置，以改善现有技术中因阳极层的功函数较低而导致应用的OLED器件启动电压较高的问题。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种阳极结构。

背景技术

随着半导体器件的应用领域的不断扩展，为保证半导体器件的性能，半导体器件的制造得到了广泛的关注。其中，在OLED器件中启动电压的高低直接影响着器件的性能。经发明人研究发现，在现有的OLED器件，存在着因器件的阳极层的功函数较低而导致器件的启动电压较高的问题。

实用新型内容

有鉴于此，本实用新型的目的在于提供一种阳极结构，以改善现有技术中因阳极层的功函数较低而导致应用的OLED器件启动电压较高的问题。

为实现上述目的，本实用新型实施例采用如下技术方案：

一种阳极结构，包括：

衬底；

制作于所述衬底的第一阳极层；

制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；

制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层。

在本实用新型实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述第二阳极层为Al：Ag结构层，其中，该Al：Ag结构层中Al和Ag的比例为95％：5％。

在本实用新型实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述衬底为硅片、玻璃、PET结构或PI结构，所述第一阳极层为Cr结构层、Ti结构层或Cr：Ti结构层。

在本实用新型实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述衬底为硅片，所述第一阳极层为Cr结构层，所述第三阳极层为AlTiN结构层。

在本实用新型实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述衬底的厚度为0.01-2mm，所述第一阳极层的厚度为1-50nm，所述第二阳极层的厚度为30-1000nm，所述第三阳极层的厚度为1-30nm。

在本实用新型实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述第一阳极层的厚度为10nm，所述第二阳极层的厚度为50nm，所述第三阳极层的厚度为10nm。

在本实用新型实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，还包括：

制作于所述衬底的钝化层，该钝化层位于所述衬底与所述第一阳极层之间。

在本实用新型实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述钝化层为SiO₂结构层、SiN_x结构层或SiO₂和SiN_x的混合结构层。

在本实用新型实施例较佳的选择中，在上述阳极结构中，所述钝化层为SiO₂结构层，且厚度为300nm。

本实用新型实施例还提供了另一种阳极结构，包括：

衬底；

制作于所述衬底的第一阳极层；

制作于所述第一阳极层远离所述衬底的一面的第二阳极层；

制作于所述第二阳极层远离所述第一阳极层的一面的第三阳极层，该第三阳极层为ZrN结构层、AlTiN结构层或AlZrN结构层；