[实用新型]一种低电压灵敏放大器电路

说明书

本实用新型公开了一种低电压灵敏放大器电路，涉及存储技术领域。该电路包括第一电路、第二电路和第三电路，所述第二电路将所述第一电路的读出电流与其参考电流进行比较，并由所述第三电路输出比较结果；第一电路包括存储器译码电路、连接于存储器译码电路并为存储器译码电路充电的第一场效应管，第一场效应管还连接有第一PMOS管和第二PMOS管，第一电流镜电路将偏置电流镜像于第二PMOS管所在的第一支路；第二电流镜电路将第一PMOS管的电流镜像于第三PMOS管所在的第二支路以得到第一电路的读出电流。本实用新型技术方案的存储器单元通过第二电流镜电路共享电源电压，使得电路可使用较低的电源电压也能正常工作，实现了存储器的高速和低压操作。

技术领域

本实用新型涉及存储技术领域，特别是涉及一种低电压灵敏放大器电路。

背景技术

闪存（Flash Memory）是一种非易失性存储器，它的发展经历了ROM（Read-OnlyMemory，只读存储器）→PROM（Programmable Read-Only Memory，可编程只读存储器）→EPROM（Erasable Programmable Read Only Memory，可编可擦只读存储器）→EEPROM(Electrically Erasable Programmable read only memory,电子可编可擦只读存储器)。闪存是EEPROM的变种，它结合了以往EPROM结构简单、密度高和EEPROM电可擦除性的一些优点，实现了高密度、低成本和高可靠性，与EEPROM相比，它实现了扇区擦除，这样闪存就比EEPROM的字节擦除速度快。快闪存储器的编程是通过向浮栅中注入或拉出电子来改变浮栅中电荷量从而改变存储单元的阈值电压，实现存储逻辑“1”或逻辑“0”。 通过在存储单元的栅极上施加一个介于“0”和“1”状态之间的电压来观察存储单元的导通状态，从而实现存储器的读操作。

灵敏放大器的任务是把闪存存储单元中的信息以尽可能快的速度读取出来。随着便携式设备和物联网技术的发展，设备所提供的电源电压可能低至1.2V以下，如此低的电压对存储设备提出了更高的要求。

发明内容

本实用新型的主要目的在于提供一种低电压灵敏放大器电路，旨在实现存储器的高速和低压操作。

为实现上述目的，本实用新型提供一种低电压灵敏放大器电路，包括第一电路、第二电路和第三电路，所述第二电路将所述第一电路的读出电流与其参考电流进行比较，并由所述第三电路输出比较结果；

所述第一电路包括存储器译码电路、连接于存储器译码电路并为所述存储器译码电路充电的预充电电路，所述预充电电路连接有第一PMOS管和第二PMOS管，所述第二PMOS管连接于第一电流镜电路，所述第一电流镜电路将偏置电流镜像于所述第二PMOS管所在的第一支路；所述第一PMOS管还连接有第三PMOS管以构成第二电流镜电路，所述第二电流镜电路将第一PMOS管的电流镜像于所述第三PMOS管所在的第二支路以得到所述第一电路的读出电流，所述第二支路分别连接于所述第二电路和第三电路。

优选地，所述预充电电路包括第一场效应管，所述第一场效应管的栅极连接于第一信号端；所述第一场效应管源/漏的一端连接于电源电压，源/漏的另一端连接于所述第一PMOS管的漏极以及所述第二PMOS管的源极。

优选地，所述第一PMOS管和所述第三PMOS管的栅极均连接于第四POMS管的漏极，所述第四POMS管的源极连接于电源电压、栅极连接于第二信号端；

所述第一PMOS管和第三PMOS管的源极均连接于电源电压，所述第一PMOS管的漏极连接于所述第二PMOS管的源极；所述第二PMOS管的漏极连接于所述第一电流镜电路。