[实用新型]一种光刻机的光罩存放单元及光刻机有效
申请号: | 201820612307.0 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN208156410U | 公开(公告)日: | 2018-11-27 |
发明(设计)人: | 万峰;谢华 | 申请(专利权)人: | 上海华力集成电路制造有限公司 |
主分类号: | G03F1/66 | 分类号: | G03F1/66;G03F7/20 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201315 上海市浦东新区中国(上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光罩 存放单元 光刻机 干燥净化装置 本实用新型 喷嘴支撑架 产品良率 经济损失 存放台 干燥气 支撑架 断线 雾化 生长 | ||
本实用新型公开了一种光刻机的光罩存放单元及光刻机,光刻机的光罩存放单元包括光罩存放台,光罩存放台上设置有光罩支撑架和喷嘴支撑架,光罩存放单元连接一干燥净化装置,干燥净化装置接入干燥气。采用实用新型的技术方案降低了光罩存放单元的环境湿度,抑制了光罩雾化的生长速度,实现提高产品良率,避免了光罩送洗断线所造成的经济损失。
技术领域
本实用新型涉及光刻机领域,尤其涉及一种光刻机的光罩存放单元及光刻机。
背景技术
光罩雾化(haze)是指在光罩表面生成硫酸铵、碳酸铵、磷酸铵等雾状化合物结晶体的现象。在激光光刻工艺中,常见的光罩雾化物为硫酸铵。钢壳工艺中,环境中的水分子在曝光作用下与光罩表面的硫酸根、氨根产生化学反应形成硫酸铵结晶体,结晶体在不断变大后最终导致该区域透光率变差进而反应在投影的图形上,若不及时处理会严重影响产品良率,同时,将存在雾化问题的光罩送洗也会导致线上产品生产中断,影响生产效率。尤其的,在ArF及沉浸式(immersion)机台的193nm光源的刻蚀工艺,由于光源能量较高,会导致光罩雾化过程加快,光罩被雾化的缺陷变的十分严重。
光刻机在光罩执行曝光操作前,将即将需要使用的光罩从光罩存储装置中取出并放置在光罩存放单元(waiting table)中,在光罩存放单元操作人员对光罩进行检查和曝光前的预处理,再通过机械臂将光罩存放单元中的光罩转运至光罩曝光操作台(reticlestage)上,进行曝光操作。现有技术中对光罩曝光操作台存在较好的干燥工艺,而光罩存放单元中并没有较好的环境干燥工艺,而且光罩在光罩曝光操作台和光罩存放单元的存放时间比为1:0.5,因此,光罩在光罩存放单元长时间存放容易出现光罩雾化的问题。
实用新型内容
针对现有技术中在存在的上述问题,现提供一种光刻机的光罩存放单元及光刻机。
具体采用如下技术方案:
一种光刻机的光罩存放单元,包括光罩存放台,所述光罩存放台上设置有光罩支撑架和喷嘴支撑架,所述喷嘴支撑架设置在所述光罩支撑架的外侧;
所述光罩存放单元连接一干燥净化装置,所述干燥净化装置的输入端接入干燥气,所述干燥净化装置包括多个第一输出端和多个第二输出端,所述第一输出端设置在所述喷嘴支撑架的顶端,所述第二输出端设置在所述光罩存放台的上表面;
当光罩放置在所述光罩支撑架上时,所述第一输出端所处的高度高于所述光罩的放置的高度,所述第二输出端位于所述光罩的下方。
优选的,所述第一输出端和所述第二输出端均采用喷嘴装置。
优选的,当所述光罩放置在所述光罩支撑架上时,所述喷嘴装置的喷头朝向所述光罩
优选的,所述干燥净化装置包括一管道分配器,所述管道分配器的输入端连接所述干燥净化装置的输入端,所述管道分配器包括多个第一输出管路和多个第二输出管路,
每个所述第一输出管路分别连接一对应的所述第一输出端;
每个所述第二输出管路分别连接一对应的所述第二输出端。
优选的,每个所述第一输出管路和每个所述第二输出管路上各设置有一电磁阀。
优选的,每个所述第一输出管路和每个所述第二输出管路上各设置有一气体流量传感器。
优选的,所述光罩存放单元设置在一基座上。
优选的,所述光罩存放单元的上方悬挂有一旋转臂。
优选的,所述干燥净化装置的输入端连接一分流装置,所述分流装置连接所述光刻机的干燥气管道。
优选的,一种光刻机,包括上述任一的所述光罩存放单元。
上述技术方案具有如下优点或有益效果:
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备