[实用新型]一种抗形变基板有效
| 申请号： | 201820612999.9 | 申请日： | 2018-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN208256676U | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 赵会涛 | 申请（专利权）人： | 云谷（固安）科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 李敏 |
| 地址： | 065500 河*** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 磁性吸附层 基板 透明基体 粘性材料 抗形变 中心部 磁性材料 受力不均 受力均匀 吸附材料 制备工艺 边缘部 形变处 形变 破碎 | ||
1.一种抗形变基板，包括透明基体(1)，其特征在于，所述透明基体(1)的表面上形成有磁性吸附层(2)；
所述磁性吸附层(2)包括中心部(21)和边缘部(22),所述中心部(21)的厚度大于所述边缘部(22)的厚度。
2.根据权利要求1所述的抗形变基板，其特征在于，所述磁性吸附层(2)的面积为所述透明基体(1)的面积的20％-40％。
3.根据权利要求1所述的抗形变基板，其特征在于，所述中心部(21)的厚度为所述边缘部(22)的厚度的2-4倍，所述中心部(21)的面积为所述磁性吸附层(2)的面积的10％-15％。
4.根据权利要求1所述的抗形变基板，其特征在于，所述磁性吸附层(2)形成在所述透明基体(1)的中部。
5.根据权利要求1-4任一所述的抗形变基板，其特征在于，所述透明基体(1)为矩形。
6.根据权利要求5所述的抗形变基板，其特征在于，所述磁性吸附层(2)为椭圆形。
7.根据权利要求6所述的抗形变基板，其特征在于，所述磁性吸附层(2)的长轴与所述透明基体(1)的长边平行设置。
8.根据权利要求3所述的抗形变基板，其特征在于，所述磁性吸附层(2)呈“十”字形；
所述磁性吸附层(2)的水平边(24)与所述透明基体(1)的长边平行设置。
9.根据权利要求8所述的抗形变基板，其特征在于，所述磁性吸附层(2)的水平边(24)的长度为所述磁性吸附层(2)的竖直边(23)的长度的1-3倍。
10.根据权利要求1所述的抗形变基板，其特征在于，所述磁性吸附层(2)为铁粉层或镍粉层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
