[实用新型]一种抗形变基板有效
申请号: | 201820612999.9 | 申请日: | 2018-04-26 |
公开(公告)号: | CN208256676U | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 赵会涛 | 申请(专利权)人: | 云谷(固安)科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/50 |
代理公司: | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人: | 李敏 |
地址: | 065500 河*** | 国省代码: | 河北;13 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁性吸附层 基板 透明基体 粘性材料 抗形变 中心部 磁性材料 受力不均 受力均匀 吸附材料 制备工艺 边缘部 形变处 形变 破碎 | ||
本实用新型提供的一种抗形变基板,磁性吸附层直接由磁性材料组成,避免了粘性材料的使用,不仅解决了粘性材料对吸附材料的磁性的降低,而且简化了制备工艺;限定磁性吸附层的面积为透明基体的面积的20%‑40%,磁性吸附层的中心部的厚度为边缘部的厚度的2‑4倍,以及中心部的面积为磁性吸附层的面积的10%‑15%;使得透明基体的形变处受力均匀,不仅有效降低或改变基板的形变,而且也能避免基板受力不均导致破碎。
技术领域
本实用新型涉及OLED技术领域,具体涉及一种抗形变基板。
背景技术
经过近三十年的发展,OLED屏体(英文全称为Organic Light Emitting Device,简称为OLED)作为下一代照明和显示技术,具有色域宽、响应快、广视角、无污染、高对比度、平面化等优点,已经在照明和显示上得到一定程度的应用。特别是近些年,随着人们对生活质量的要求不断提高,OLED屏体也向着薄、大、轻的方向发展。然而在大屏体OLED制备的过程中,基板在蒸镀时,由于基板的尺寸较大,在重力的作用下,基板的中部往往会下垂,使基板产生形变,不仅会导致蒸镀像素点错位,而且还会引起材料分布不均匀。
为了解决该问题,目前设计出了一种具有防止形变功能的基板,具体是在基板的一面设置树脂层,并通过树脂层粘附纳米磁性颗粒。虽然上述基板在一定程度上解决了基板形变的问题,但是由于大量的树脂材料的使用,减弱了磁性材料被吸附的效果,使得对抗基板形变效果不大。
实用新型内容
因此,本实用新型要解决的技术问题在于克服现有技术中基板在蒸镀过程中出现形变的缺陷,从而提供了一种抗形变基板。
一种抗形变基板,包括透明基体,所述透明基体的表面上形成有磁性吸附层;
所述磁性吸附层包括中心部和边缘部,所述中心部的厚度大于所述边缘部的厚度。
优选的是,所述的抗形变基板中,所述磁性吸附层的面积为所述透明基体的面积的20%-40%。
优选的是,所述的抗形变基板中,所述中心部的厚度为所述边缘部的厚度的2-4倍,所述中心部的面积为所述磁性吸附层的面积的10%-15%。
优选的是,所述的抗形变基板中,所述磁性吸附层形成在所述透明基体的中部。
优选的是,所述的抗形变基板中,所述透明基体为矩形。
优选的是,所述的抗形变基板中,所述磁性吸附层为椭圆形。
优选的是,所述的抗形变基板中,所述磁性吸附层的长轴与所述透明基体的长边平行设置。
优选的是,所述的抗形变基板中,所述磁性吸附层呈“十”字形;
所述磁性吸附层的水平边与所述透明基体的长边平行设置。
优选的是,所述的抗形变基板中,所述磁性吸附层的水平边的长度为所述磁性吸附层的竖直边的长度的1-3倍。
优选的是,所述的抗形变基板中,所述磁性吸附层为铁粉层或镍粉层。
本实用新型技术方案,具有如下优点:
1.本实用新型提供的一种抗形变基板,磁性吸附层直接由磁性材料组成,避免了粘性材料的使用,不仅解决了粘性材料对吸附材料的磁性的降低,而且简化了制备工艺。
2.本实用新型提供的一种抗形变基板,限定磁性吸附层的面积为透明基体的面积的20%-40%,磁性吸附层的中心部的厚度为边缘部的厚度的2-4倍,以及中心部的面积为磁性吸附层的面积的10%-15%;使得透明基体的形变处受力均匀,不仅有效降低或改变基板的形变,而且也能避免基板受力不均导致破碎。
附图说明
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的