[实用新型]发光二极管有效
| 申请号： | 201820623360.0 | 申请日： | 2018-04-27 |
| 公开（公告）号： | CN208444855U | 公开（公告）日： | 2019-01-29 |
| 发明（设计）人： | 李若雅;汪琼;祝庆;陈柏君;陈柏松 | 申请（专利权）人： | 芜湖德豪润达光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 景怀宇;李双皓 |
| 地址： | 241000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体层 活性层 发光二极管 层状薄膜 石墨烯 衬底 复合导电层 纳米线 间隔设置 申请 | ||
1.一种发光二极管，其特征在于，所述发光二极管(100)包括：
衬底(10)；
第一半导体层(20)，设置于所述衬底(10)表面；
活性层(30)，设置于所述第一半导体层(20)远离所述衬底(10)的表面；
第二半导体层(40)，设置于所述活性层(30)远离所述第一半导体层(20)的表面；
复合导电层(50)，包括：
石墨烯层状薄膜(51)，设置于所述第二半导体层(40)远离所述活性层(30)的表面；
多个Zn-Sn-O纳米线(52)间隔设置于所述石墨烯层状薄膜(51)远离所述第二半导体层(40)的表面。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，还包括：
第一电极(60)，与所述第一半导体层(20)电连接；
第二电极(70)，设置于所述石墨烯层状薄膜(51)远离所述第二半导体层(40)的表面。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述Zn-Sn-O纳米线(52)的直径为10nm-15nm。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述Zn-Sn-O纳米线(52)的厚度为30nm-50nm。
5.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述石墨烯层状薄膜(51)的厚度为6nm-10nm。
6.如权利要求2所述的发光二极管，其特征在于，所述第二电极(70)设置于所述石墨烯层状薄膜(51)的中心位置。
7.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述衬底(10)材料为蓝宝石。
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