[实用新型]发光二极管

说明书

本申请涉及一种发光二极管，所述发光二极管包括所述衬底、所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层和所述复合导电层。所述第一半导体层设置于所述衬底的表面。所述活性层设置于所述第一半导体层远离所述衬底的表面。所述第二半导体层设置于所述活性层远离所述第一半导体层的表面。所述复合导电层包括所述石墨烯层状薄膜和多个所述Zn‑Sn‑O纳米线。所述石墨烯层状薄膜设置于所述第二半导体层远离所述活性层的表面。多个所述Zn‑Sn‑O纳米线间隔设置于所述石墨烯层状薄膜远离所述第二半导体层的表面。

技术领域

本申请涉及发光二极管技术领域，尤其涉及一种发光二极管。

背景技术

发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)因为具有体积小、能耗低、寿命长、驱动电压低等优点而倍受欢迎，广泛用于指示灯，显示屏等。为满足日益增长的需求，LED芯片的发光效率的提升已迫在眉睫。LED照明取代传统照明已成明显趋势，接下来数年间，LED照明将迈入高速成长期。而LED照明普及的关键在于蓝光LED外延芯片技术力的提升，技术的突破发展将带动照明亮度的提升与价格下降,加速LED照明普及化。

石墨烯具备良好的电学、力学、热学及光学性能，并且具有高延展性和高透光率，单层石墨烯的透光率可以达到97.7％，载流子迁移率可以达到15000cm²/(V·S)，甚至更高，导电性能较好，具有取代传统ITO透明导电层的潜质。但是石墨烯在生长过程中容易形成大量晶界和褶皱，这会导致其具有较大的方块电阻。现有技术中引入了ZnO纳米棒与石墨烯层状薄膜复合，用以解决较大的方块电阻的问题，但是ZnO材料表面和晶粒间界氧吸附会导致其电化学性能下降。

实用新型内容

基于此，有必要针对石墨烯取代ITO透明导电层时，由于石墨烯内部的晶界和褶皱导致较大的方块电阻的问题以及ZnO材料表面和晶粒间界氧吸附导致的电化学性能下降的问题，提供一种发光二极管。

本申请提供一种发光二极管，所述发光二极管包括所述衬底、所述第一半导体层、所述活性层、所述第二半导体层和所述复合导电层。所述第一半导体层设置于所述衬底的表面。所述活性层设置于所述第一半导体层远离所述衬底的表面。所述第二半导体层设置于所述活性层远离所述第一半导体层的表面。所述复合导电层包括所述石墨烯层状薄膜和多个所述Zn-Sn-O纳米线。所述石墨烯层状薄膜设置于所述第二半导体层远离所述活性层的表面。多个所述Zn-Sn-O纳米线间隔设置于所述石墨烯层状薄膜远离所述第二半导体层的表面。

在其中一个实施例中，所述发光二极管还包括第一电极和第二电极。所述第一电极与所述第一半导体层电连接。所述第二电极设置于所述石墨烯层状薄膜远离所述第二半导体层的表面。

在其中一个实施例中，所述Zn-Sn-O纳米线的直径为10nm-15nm。

在其中一个实施例中，所述Zn-Sn-O纳米线的厚度为30nm-50nm。

在其中一个实施例中，所述石墨烯层状薄膜的厚度为6nm-10nm。

在其中一个实施例中，所述第二电极设置于所述石墨烯层状薄膜的中心位置。

在其中一个实施例中，所述衬底材料为蓝宝石。