[实用新型]离子注入跑片装置

说明书

本实用新型公开了离子注入跑片装置。该离子注入跑片装置包括水平进出传送区，用于水平运送装载硅片的托盘；垂直输送缓冲区，连通水平进出传送区，用于垂直向上或向下运送托盘；单个水平传送区，用于先后运送多个托盘，单个水平传送区依次具有第一离子注入工位、切换硅片位置工位及第二离子注入工位，第一离子注入工位用于在硅片的第一位置注入第一离子，切换硅片位置工位用于对应硅片的第二位置，第二离子注入工位用于在硅片的第二位置注入第二离子；及垂直输送储存区，用于垂直向上或向下运送托盘。本实用新型所述离子注入跑片装置，离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好。

技术领域

本实用新型涉及硅太阳能电池制备技术领域，具体涉及离子注入跑片装置。

背景技术

硅太阳能电池在被暴露至来自太阳的太阳辐射时产生电能。该辐射与硅原子交互作用并形成电子和空穴，所述电子和空穴迁移到硅本体中的p离子掺杂区和n离子掺杂区，并在掺杂区之间产生电压差和电流。取决于用途，太阳能电池已经与集中元件集成以提高效率。太阳辐射使用将所述辐射引导至活性光伏材料的一个或更多部分的集中元件来积累和聚焦。尽管有效，但是这些太阳能电池仍有很多限制。

仅仅作为一个实例，太阳能电池依赖诸如硅的起始材料。这种硅通常使用多晶硅(即多晶体的硅)和/或多晶硅材料制成。这些材料通常难以制造。多晶硅电池通常通过制造多晶硅板来形成。尽管这些板可以有效地形成，但是它们不具备高效太阳能电池的最佳性能。单晶硅具有高级太阳能电池的适当性能。然而，这种单晶硅价格昂贵，还难以按照高效且成本有效的方式用于太阳能用途。此外，多晶硅材料和单晶硅材料在传统制造过程中均遭受称为“刮线损失的材料损失，其中，出于铸件或生长晶锭并将材料单片化成晶片形式的因素，锯割工艺消除起始材料的多达40％甚至达到60％。这是制备用作太阳能电池的薄多晶硅或单晶硅板的非常低效的方法。

通常，薄膜太阳能电池通过使用较少的硅材料是价格较不昂贵的，但是它们的非晶或多晶结构与由多晶磕衬底制成的更昂贵的体硅相比效率较低。

实用新型内容

基于此，本实用新型有必要提供一种离子注入方便、快速、成本低、制作的硅片质量好的离子注入跑片装置。

为了实现本实用新型的目的，本实用新型采用以下技术方案：

一种离子注入跑片装置，其包括：

水平进出传送区，所述水平进出传送区用于水平运送装载硅片的托盘，所述托盘设有若干平行设置的滑轨及一隔板，所述隔板滑动连接若干所述滑轨以沿所述滑轨移动，所述隔板上开设有两排离子注入孔，两排所述离子注入孔的位置相互交叉错开，所述隔板的宽度小于所述托盘的宽度，所述硅片设于所述托盘上所述隔板的下方；初始时所述隔板的第一排所述离子注入孔对应所述硅片的第一位置；垂直输送缓冲区，所述垂直输送缓冲区连通所述水平进出传送区，所述垂直输送缓冲区用于垂直向上或向下运送所述托盘；

单个水平传送区，所述单个水平传送区连通所述垂直输送缓冲区，所述单个水平传送区用于先后运送多个所述托盘；所述单个水平传送区依次具有第一离子注入工位、切换硅片位置工位及第二离子注入工位，所述第一离子注入工位用于在所述硅片的第一位置注入第一离子，所述切换硅片位置工位用于移动所述隔板以使所述隔板的第二排所述离子注入孔对应所述硅片的第二位置，所述第二离子注入工位用于在所述硅片的第二位置注入第二离子，所述第二位置相异于所述第一位置；所述第一离子注入工位相对所述第二离子注入工位较靠近所述垂直输送缓冲区；

垂直输送储存区，所述垂直输送储存区连通所述单个水平传送区，用于垂直向上或向下运送所述托盘；

真空发生器，所述真空发生器用于对所述水平进出传送区、垂直输送缓冲区及垂直输送储存区抽真空。