[实用新型]刻蚀清洗机水洗槽有效
申请号: | 201820663331.7 | 申请日: | 2018-05-04 |
公开(公告)号: | CN208422866U | 公开(公告)日: | 2019-01-22 |
发明(设计)人: | 甄亮;孔海洋;杨强;黄海燕;陆川 | 申请(专利权)人: | 浙江正泰太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京元合联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11653 | 代理人: | 李非非;杨兴宇 |
地址: | 310053 浙江*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 硅片 水洗槽 喷雾水 刻蚀清洗机 硅片传送 槽体内部 硅片表面 入口处 槽体 冲洗 本实用新型 化学品溶液 并联电阻 出口连接 电池生产 供水管道 后段工艺 清洁力度 装置设置 连接管 侧壁 卡漏 良率 水压 丝网 连通 腐蚀 贯穿 出口 | ||
本实用新型实施例中提供了一种刻蚀清洗机水洗槽,所述刻蚀清洗机水洗槽包括槽体、硅片传送装置和多个高压喷雾水刀:所述槽体设置有贯穿侧壁的硅片入口和硅片出口;所述硅片传送装置设置于所述槽体内部,两端与硅片入口和硅片出口连接;所述多个高压喷雾水刀设置于所述槽体内部的硅片入口处,面向所述硅片传送装置;所述高压喷雾水刀的连接管与供水管道连通。实施例中的水洗槽可利用多个高压喷雾水刀冲洗硅片表面,水压较大,清洁力度高;且由于高压喷雾水刀设置于硅片入口处,还可以在硅片进入水洗槽后及时冲洗硅片,避免化学品溶液过渡腐蚀硅片表面。该水洗槽解决了后段工艺中的丝网并联电阻低、卡漏比例高等问题,有效提升了电池生产良率。
技术领域
本实用新型涉及太阳能电池片生产领域,特别是涉及一种刻蚀清洗机水洗槽。
背景技术
在新能源发电领域,太阳能电池发电占据了重要的地位。太阳能电池可以直接将电能转换为电能,在使用具有无污染、寿命长、无需维护等优点。因此近年来太阳能电池片制造生产迅速发展,在光伏电站和分布式的应用也需求量非常大。
在太阳能电池片的生产过程中,湿法刻蚀清洗机的作用是利用HF/HNO3/H2SO4的混合液对扩散后硅片下表面和边缘进行腐蚀,去除边缘的N型硅,使得硅片的上下表面相互绝缘,从而减少边缘漏电。湿法刻蚀清洗机在工艺过程中需要大量使用化学品,而残留的混合溶液会影响硅片制程效果,因而在硅片经过化学品槽后都使用水槽来清洁前道残留的化学品,利用纯水循环,采用冲洗的方式清洗硅片表面,去除硅片表面残留的化学品溶液。
目前现有技术中刻蚀清洗机的水洗槽在冲洗硅片时虽然有孔状喷头水刀,但是其只是以水柱冲洗硅片,且水压较低,不能在硅片进入水洗槽的第一时间有效去除附着于硅片表面的化学品,清洗效果达不到当前工艺要求。而上述弊端也导致电池片在后段工艺中存在诸如丝网并联电阻低、卡漏比例高等问题,影响电池片生产的良率。
实用新型内容
本实用新型实施例中提供了一种刻蚀清洗机水洗槽,用以有效清洗硅片表面残留的化学品混合溶液,提升电池片生产良率,所述刻蚀清洗机水洗槽包括槽体、硅片传送装置和多个高压喷雾水刀,其中:
所述槽体设置有贯穿侧壁的硅片入口和硅片出口;
所述硅片传送装置设置于所述槽体内部,两端与硅片入口和硅片出口连接;
所述多个高压喷雾水刀设置于所述槽体内部的硅片入口处,面向所述硅片传送装置;所述高压喷雾水刀的连接管与供水管道连通。
一个实施例中,所述水洗槽包括2个高压喷雾水刀,所述2个高压喷雾水刀在竖直方向上对置于所述硅片传送装置两侧。
一个实施例中,所述刻蚀清洗机水洗槽还包括接液盒和溢流口,所述接液盒设置于所述多个高压喷雾水刀的正下方,与所述溢流口连通。
一个实施例中,所述接液盒倾斜设置于所述多个高压喷雾水刀的正下方,底部的最低点与溢流口高度持平。
一个实施例中,所述高压喷雾水刀设置有16个沿刀体横向排布的高压喷头。
一个实施例中,所述刻蚀清洗机水洗槽还包括阀门,所述阀门设置于连接管与供水管道的连通处。
一个实施例中,所述阀门为聚丙烯材质阀门。
一个实施例中,所述刻蚀清洗机水洗槽还包括多个孔状喷头水刀,所述孔状喷头水刀设置于所述槽体内部,面向于所述硅片传送装置。
一个实施例中,所述刻蚀清洗机水洗槽还包括风刀,所述风刀设置于所述槽体内部的硅片出口处,面向于所述硅片传送装置。
一个实施例中,所述连接管为直径3.5毫米的PVDF材质水管。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造