[实用新型]喷嘴

说明书

本实用新型提供的喷嘴，包括：本体；中心进气孔，设于所述本体中，且所述中心进气孔的直径满足：能够破坏所述中心进气孔中的等离子体形成条件；边缘进气孔，设于所述本体中，且环绕在所述中心进气孔四周，并且所述边缘进气孔的直径满足：能够破坏所述边缘进气孔中的等离子体形成条件。本实用新型提供的喷嘴，其不会对自身内部刻蚀，避免对衬底刻蚀区域造成污染，同时延长自身使用寿命，并可使衬底刻蚀均匀。

技术领域

本实用新型涉及等离子体刻蚀领域，具体地，涉及一种喷嘴。

背景技术

目前，等离子装置广泛地应用于集成电路(IC)或MEMS器件的制造工艺中，等离子体刻蚀装置主要是利用等离子体对晶片进行物理及化学反应而工作的。

现有技术中，常规的等离子体刻蚀装置包括：反应腔室、基座、喷嘴、射频电源、线圈和偏压电源，其工作过程如下：将衬底(wafer)放入反应腔室中的基座上；反应气体通过喷嘴进入反应腔室；线圈接通射频电源，射频电源产生的高频电压将激发反应腔室内的反应气体形成高密度等离子体。偏压电源向基座加载偏压，以吸引等离子体中的离子向衬底表面运动并轰击衬底表面，从而实现对衬底进行刻蚀。

在进行工艺的过程中，喷嘴内部的反应气体在高压的电磁场(线圈通电产生)作用下也将离散化，形成等离子体，并刻蚀喷嘴内部产生颗粒。由于喷嘴位于衬底正上方，这些颗粒在重力以及气流场的作用下散落在衬底的上表面，导致衬底刻蚀区域被颗粒污染。此外，上述喷嘴通常位于反应腔室的中心区域，大部分反应气体经由喷嘴流向反应腔室的中心区域，从而造成腔室内中心区域与周边区域的气体分布不均匀，进而造成衬底刻蚀不均匀。

实用新型内容

本实用新型旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提出了一种喷嘴，其不会对自身内部刻蚀，避免对衬底刻蚀区域造成污染，同时延长自身使用寿命，并可使衬底刻蚀均匀。

为实现本实用新型的目的而提供一种喷嘴，包括：

本体；

中心进气孔，设于所述本体中，且所述中心进气孔的直径满足：能够破坏所述中心进气孔中的等离子体形成条件；

边缘进气孔，设于所述本体中，且环绕在所述中心进气孔四周，并且所述边缘进气孔的直径满足：能够破坏所述边缘进气孔中的等离子体形成条件。

优选的，所述中心进气孔的直径小于等于3mm。

优选的，所述边缘进气孔的直径小于等于3mm。

优选的，在所述本体中设置有辅助进气孔和进气通道，其中，

所述辅助进气孔设于所述中心进气孔与所述边缘进气孔之间，且环绕在所述中心进气孔四周；所述辅助进气孔的直径满足：能够破坏所述辅助进气孔中的等离子体形成条件；

所述进气通道的出气端与所述辅助进气孔连通，并且在所述进气通道的内壁，且位于所述进气通道的出气端处设置有环形凸台。

优选的，所述辅助进气孔的直径小于等于3mm。

优选的，在所述本体中设置有汇流腔和多个分流孔，其中，

所述汇流腔设于所述中心进气孔的出气端一侧，且与所述中心进气孔和所述辅助进气孔连通，所述汇流腔在所述中心进气孔的轴向上的直径满足：能够破坏所述汇流腔中的等离子体形成条件；

每个所述分流孔设于所述汇流腔远离所述中心进气孔一侧，且与所述汇流腔连通，所述分流孔的直径满足：能够破坏所述分流孔中的等离子体形成条件。

优选的，所述汇流腔在所述中心进气孔的轴向上的直径的取值范围在1-2mm。