[实用新型]半导体封装件有效
申请号: | 201820678714.1 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN208478317U | 公开(公告)日: | 2019-02-05 |
发明(设计)人: | A·卡达格;I·H·阿雷拉诺;E·M·卡达格 | 申请(专利权)人: | 意法半导体公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/495;H01L23/488;H01L23/498 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华;崔卿虎 |
地址: | 菲律宾*** | 国省代码: | 菲律宾;PH |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体封装件 背面保护层 管芯焊盘 模制化合物 第一表面 可去除 引线框架 凹部 施加 本实用新型 电子设备 外部环境 制造过程 耦合到 暴露 去除 溢料 固化 模具 | ||
本实用新型提供了半导体封装件。使用可去除的背面保护层形成的半导体封装件包括引线框架、管芯焊盘、引线和围绕它们的模制化合物。管芯焊盘和引线的第一表面通过多个凹部暴露于外部环境。凹部通过在施加模制化合物之前将可去除的背面保护层耦合到引线框架来形成。在模制化合物被施加和固化之后,去除背面保护层以暴露管芯焊盘的第一表面和引线的第一表面,使得半导体封装件可以被安装在电子设备内。当在制造过程中形成半导体封装件时,可去除的背面保护层保护管芯焊盘和引线免于模具溢料和残留物。
技术领域
本公开涉及一种具有在模制期间附接到引线框架以防止在引线上形成模具溢料的可去除保护层的封装件。
背景技术
随着针对半导体封装件消费者需求增加,制造商面临以零到最小缺陷来制造和形成数千个封装件的重大挑战。另外,由于半导体封装件安装在电子设备内,制造商面临避免可能引起半导体封装件短路从而有效地减少其寿命或使其有缺陷的安装缺陷的重大挑战。半导体封装件通常包括管芯、引线框架和模制化合物。例如,引线框架安装到引线框架带。管芯安装到与引线框架带耦合的引线框架的管芯焊盘,并且电连接被形成以将管芯耦合到引线框架的引线。然后模制化合物被形成以包封引线框架、管芯和电连接以形成半导体封装件。这可以大规模地进行,以在单个制造批次中生产数千个半导体封装件。
上述形成技术用于在单个制造批次中形成多个半导体封装件。不幸的是,当使用上述形成技术时,如果在形成模制化合物时碎片进入引线框架带下方,则模制化合物可能覆盖引线框架的引线和管芯焊盘。换言之,在上述过程中可能发生模具溢料(moldflashing)。模具溢料是模制化合物覆盖管芯焊盘的暴露表面和引线框架的引线的全部或部分。这种覆盖降低了半导体封装件在电子设备中使用时的有效性或者使得半导体封装件不可用或有缺陷。也存在其他困难。首先,当应用焊球以将半导体封装件安装在电子设备内时,如果焊球被错误地放置,则焊球可能会接触多个电连接并且使电子设备中的半导体封装件短路。其次,为了避免引线、管芯焊盘以及电子设备内的电连接或接触件之间的焊球缺陷或焊料交叠,引线框架的引线和管芯焊盘必须放置得更远以减少焊料溢出和交叠的机会。
实用新型内容
本公开提供了通过使用耦合到引线框架的可去除的保护层而形成的半导体封装件。引线框架包括管芯焊盘部分和引线部分。更具体地,可去除的保护层耦合到每个管芯焊盘部分的一面和引线框架的每个引线部分的一面,耦合到引线框架的可去除的保护层然后耦合到引线框架带。可去除的保护层保护引线框架的管芯焊盘和引线免受模具溢料,并且形成与引线框架的引线部分和管芯焊盘部分相对应的凹部。
根据一个实施例,形成一种具有引线框架、管芯和模制化合物的封装件。在这个实施例中,引线框架包括多个管芯焊盘部分和多个引线部分。管芯焊盘部分和引线部分具有第一面和第二面。每个管芯焊盘部分的第一面和第二面实质上彼此相对。类似地,每个引线部分的第一面和第二面实质上彼此相对。管芯通过粘合材料耦合到每个管芯焊盘部分的第二面。一旦管芯已被放置,就形成了多个电连接。多个电连接可以由多个导线形成。多个导线中的每个导线可以具有耦合到每个引线部分的相应的第二面的第一端和耦合到管芯中的相应管芯的第二端。模制化合物层被形成为覆盖引线框架带,以包封每个管芯、电连接、保护层、引线框架的管芯焊盘部分和引线框架的引线部分。一旦模制化合物层已经固化,去除引线框架带以暴露耦合到引线框架的保护层。然后选择性地去除保护层,以在引线框架的每个管芯焊盘部分和引线框架的每个引线部分下方形成凹部。一旦保护层已被选择性地去除,模制化合物层、电连接、引线框架的引线部分、引线框架的管芯焊盘部分和管芯被分割成单独的半导体封装件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于意法半导体公司,未经意法半导体公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820678714.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:薄膜封装器件以及太阳能电池
- 下一篇:一种大功率固态继电器封装结构