[实用新型]具有共享栅极的像素结构有效
申请号: | 201820681993.7 | 申请日: | 2018-05-08 |
公开(公告)号: | CN208126072U | 公开(公告)日: | 2018-11-20 |
发明(设计)人: | 吴哲耀;周凯茹;江宜达 | 申请(专利权)人: | 凌巨科技股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;G02F1/1368 |
代理公司: | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人: | 孙皓晨;侯奇慧 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 主控制开关 外部电压 像素 选择性接收 传输 本实用新型 电性连接 像素结构 放电 压降 高分辨率 像素空间 共享 可用 | ||
1.一种具有共享栅极的像素结构,其特征在于,包含:
一第一像素,其具有一第一控制开关及一主控制开关,该第一控制开关电性连接该主控制开关,并通过该主控制开关选择性接收外部电压,该主控制开关再将该外部电压传输至该第一控制开关,并再通过该第一控制开关选择性接收该外部电压,以避免传输至该第一像素进行充、放电的该外部电压产生压降;以及
一第二像素,其具有一第二控制开关,该第二像素通过该第二控制开关电性连接该主控制开关,以选择性接收该主控制开关所传输的该外部电压,以避免传输至该第二像素进行充、放电的该外部电压产生压降。
2.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一像素与该第二像素的栅极结构以该主控制开关为中线而呈现轴对称。
3.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一像素更包含:
一第一接地元件;
一第一储存电容,其电性连接该第一接地元件及该第一控制开关;及
一第一液晶电容,其电性连接该第一接地元件、该第一储存电容及该第一控制开关,通过该第一控制开关对该第一储存电容及该第一液晶电容的充、放电进行控制。
4.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第二像素更包含:
一第二接地元件;
一第二储存电容,其电性连接该第二接地元件及该第二控制开关;及
一第二液晶电容,其电性连接该第二接地元件、该第二储存电容及该第二控制开关,通过该第二控制开关对该第二储存电容及该第二液晶电容的充、放电进行控制。
5.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一控制开关、该第二控制开关及该主控制开关为晶体管。
6.如权利要求5所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一控制开关、该第二控制开关及该主控制开关通过栅极接收信号,以进行开或关的控制。
7.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一像素的该第一控制开关及该主控制开关与该第二像素的该第二控制开关应用于非晶硅制程。
8.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一像素的尺寸大于、小于或等于该第二像素。
9.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一像素及该第二像素的栅极的形状为水平型、L型、J型或指叉型。
10.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一像素的栅极的通道长度为1~10μm,通道宽度为1~300μm。
11.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第二像素的栅极的通道长度为1~10μm,通道宽度为1~300μm。
12.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一像素结合该第二像素应用在穿透区及反射区独立的像素结构、穿透区被反射区包围的像素结构、微穿透型态反射区间隙的像素结构或透明电极大于反射电极的像素结构。
13.如权利要求1所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,该第一控制开关、该第二控制开关及该主控制开关各自更包含一栅极电极、至少一源极/漏极电极及一半导体电极,该半导体电极设置于该栅极电极上,该至少一源极/漏极电极设置于该半导体电极及该栅极电极上,该第一控制开关、该第二控制开关分别通过该源极/漏极电极与该主控制开关的该源极/漏极电极相连接。
14.如权利要求13所述的具有共享栅极的像素结构,其特征在于,更包含一通道结构,其设置于任一该源极/漏极电极上。
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