[实用新型]微型化线路有效
申请号: | 201820687744.9 | 申请日: | 2018-05-09 |
公开(公告)号: | CN208400849U | 公开(公告)日: | 2019-01-18 |
发明(设计)人: | 曾彦豪;黄世颖;彭宥轩;徐伟智;王苇霖;黄文冠 | 申请(专利权)人: | 希华晶体科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L21/02 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司 11355 | 代理人: | 张雅军;史瞳 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线路图案 金属 蚀刻 下层 微型化 本实用新型 蚀刻剂 基板 上层 底层形成 | ||
本实用新型提供一种微型化线路,其包括一基板、一线路图案底层、一线路图案下层,及一线路图案上层。该线路图案底层形成于该基板的一表面上,且是由一第一金属所构成。该线路图案下层叠置于该线路图案底层上,且是由一第二金属所构成。该线路图案上层叠置于该线路图案下层上,且是由一有别于该第一金属的第三金属所构成。在本实用新型中,该线路图案底层是经一蚀刻剂所蚀刻取得,该蚀刻剂对该第一金属与该第三金属分别具有一第一蚀刻速率(R1)与一第二蚀刻速率(R2),且R1是远大于R2。
技术领域
本实用新型是涉及一种线路,特别是涉及一种微型化线路。
背景技术
参阅图1,一种现有的线路的制法,其包括以下步骤:(A)于一基板11的一表面111上沉积一由Cu所构成的金属底层120;(B)于该金属底层120上形成一具有一线路图案131的光阻层13以裸露出该金属底层120的一部分121;(C)自裸露于该光阻层13的线路图案131外的该金属底层120的该部分121上电镀(electroplating)一由Cu所构成的金属线路图案14;(D)移除该光阻层13以裸露出该金属底层120的一剩余部分122;及(E)以一蚀刻剂(etchant)15蚀刻该金属底层的该剩余部分122令该金属底层120成为一线路图案底层12,并从而制得一如图2所示的线路1。
由图2所显示的线路1可知,该制法在实施步骤(E)所载的蚀刻步骤时,该蚀刻剂15很容易因过度蚀刻该金属底层120的剩余部分122,以致于在该线路图案底层12处产生一对称性的底切轮廓(undercut)123。随着可携式电子装置的需求量持续地增加,应用于可携式电子装置的电路也须符合轻薄短小化的需求。一旦线路的线宽(line width)小于10μm以下时,则前述底切轮廓123将导致线路的断路问题。因此,该现有的线路的制法只适合用来产制线宽约10μm以上的线路。
经上述说明可知,改良该现有线路以因应可携式电子装置所需的轻薄短小化的线路,并克服产制微型化线路时因底切所造成的断路问题,是所属技术领域中的相关技术人员当前有待克服的难题。
发明内容
本实用新型的目的在于提供一种能降低底切所致的断路问题的微型化线路。
本实用新型微型化线路,包括基板、线路图案底层、线路图案下层,及线路图案上层。该线路图案底层形成于该基板的表面上。该线路图案下层叠置于该线路图案底层上。该线路图案上层叠置于该线路图案下层上。
本实用新型的微型化线路,该线路图案底层具有厚度t0,该线路图案下层具有第一厚度t1,且t1/t0>1。
本实用新型的微型化线路,t0介于100nm至200nm间,t1介于5μm至15μm间。
本实用新型的微型化线路,叠置于该线路图案下层上的该线路图案上层还包覆该线路图案下层的周缘。
本实用新型的微型化线路,该线路图案底层是由第一金属所构成,该线路图案下层是由第二金属所构成,该线路图案上层是由有别于该第一金属的第三金属所构成,且该线路图案底层是经蚀刻剂所蚀刻取得,该蚀刻剂对该第一金属与该第三金属分别具有第一蚀刻速率(R1)与第二蚀刻速率(R2),且R1是远大于R2。
本实用新型的有益效果在于:利用t0介于100nm至200nm间,t1介于5μm至15μm间,且该第一蚀刻速率(R1)远大于该第二蚀刻速率(R2)的机制,令湿式蚀刻反应一致性地反应在该厚度t0远较该第一厚度t1且是由该第一金属所构成的该金属层的该剩余部分,以降低湿式蚀刻反应在由该第三金属所构成的该线路图案上层,从而降低底切的产生机率并解决因底切所致的断路问题。
附图说明
本实用新型的其他的特征及功效,将于参照图式的实施方式中清楚地呈现,其中:
图1是一元件制作流程图,说明一种现有的线路的制法;
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H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
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