[实用新型]石英晶体籽晶片腐蚀控制装置有效

专利信息
申请号: 201820690805.7 申请日: 2018-05-10
公开(公告)号: CN208293120U 公开(公告)日: 2018-12-28
发明(设计)人: 刘盛浦;王晓刚;易际让 申请(专利权)人: 山东博达光电有限公司
主分类号: C30B33/10 分类号: C30B33/10
代理公司: 杭州中成专利事务所有限公司 33212 代理人: 金祺
地址: 271500 *** 国省代码: 山东;37
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摘要:
搜索关键词: 籽晶片 石英晶体 腐蚀箱 转轴 腐蚀控制装置 本实用新型 表面腐蚀 牵引杆 牵引线 腐蚀 通孔 箱盖 传统操作 电机连接 腐蚀溶液 可伸缩的 生产效率 对流 穿过
【说明书】:

实用新型提供一种石英晶体籽晶片腐蚀控制装置,包括腐蚀箱和与电机连接的转轴,腐蚀箱位于转轴正下方,腐蚀箱包括箱体和与箱体配合使用的箱盖,箱盖上设置有通孔,箱体中放置有腐蚀筐,转轴上设置有可伸缩的牵引杆,牵引杆上设置有牵引线,牵引线穿过通孔与腐蚀筐固定连接。本实用新型改变了石英晶体籽晶片表面腐蚀的传统操作,腐蚀溶液与籽晶片的对流,加快了籽晶片腐蚀质量和速度,石英晶体籽晶片表面腐蚀更加均匀,提高了生产效率。

技术领域

本实用新型涉及石英晶体籽晶片加工技术领域,具体为石英晶体籽晶片腐蚀控制装置。

背景技术

人造石英晶体采用水热温差法进行晶体生长,在该晶体生长工艺中需要悬挂籽晶,籽晶的制备工艺包括定向、切割、研磨、腐蚀等工艺。在籽晶的腐蚀工艺中,需要使用氢氟酸或氟化氢铵对籽晶的各面进行腐蚀,以去除加工过程中的油污和表面附着物,使籽晶片表面腐蚀出全新晶格界面,以利于高压釜内的溶解了二氧化硅的过饱和溶液在籽晶界面上析晶生长。一般传统的腐蚀工艺只是将籽晶片静止放在腐蚀液体中,这样的缺点是被腐蚀掉的二氧化硅成份不能有效快速的溶解到氢氟酸或氟化氢铵溶液中,造成了籽晶片表面腐蚀的不均匀,而且腐蚀时间较长。

因此,需要对现有技术进行改进。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供可调节籽晶片腐蚀速度的石英晶体籽晶片腐蚀控制装置。

为解决上述技术问题,本实用新型提供一种石英晶体籽晶片腐蚀控制装置,包括腐蚀箱和与电机连接的转轴;

所述腐蚀箱位于转轴正下方;所述腐蚀箱包括箱体和与箱体配合使用的箱盖,箱盖上设置有通孔,箱体中放置有腐蚀筐;

所述转轴上设置有可伸缩的牵引杆,牵引杆上设置有牵引线;

所述牵引线穿过通孔与腐蚀筐固定连接。

作为对本实用新型石英晶体籽晶片腐蚀控制装置的改进:所述腐蚀箱与转轴之间设置有固定杆,固定杆上设置有限位孔;所述牵引线依次穿过限位孔和通孔后与腐蚀筐固定连接。

作为对本实用新型石英晶体籽晶片腐蚀控制装置的进一步改进:所述腐蚀筐内平行设置有两个固定架,固定架包括垫高架和至少三个等距固定设置在垫高架顶部的分离架。

作为对本实用新型石英晶体籽晶片腐蚀控制装置的进一步改进:所述腐蚀筐顶部设置有提绳,牵引线依次穿过限位孔和通孔后与提绳固定连接。

作为对本实用新型石英晶体籽晶片腐蚀控制装置的进一步改进:所述牵引杆上设置有可转动的转轮,转轮上固定设置有牵引线。

作为对本实用新型石英晶体籽晶片腐蚀控制装置的进一步改进:所述转轴水平设置,牵引杆与转轴垂直设置。

本实用新型石英晶体籽晶片腐蚀控制装置的技术优势为:

本实用新型改变了石英晶体籽晶片表面腐蚀的传统操作,腐蚀溶液与籽晶片的对流,加快了籽晶片腐蚀质量和速度,石英晶体籽晶片表面腐蚀更加均匀,提高了生产效率。

附图说明

下面结合附图对本实用新型的具体实施方式作进一步详细说明。

图1为本实用新型石英晶体籽晶片腐蚀控制装置的结构示意图;

图2为图1中腐蚀箱2中的腐蚀筐8放大结构示意图。

具体实施方式

下面结合具体实施例对本实用新型进行进一步描述,但本实用新型的保护范围并不仅限于此。

实施例1、石英晶体籽晶片腐蚀控制装置,如图1-2所示;包括主体架1、腐蚀箱2和与电机连接的转轴3。

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