[实用新型]半导体凸块金属层制作设备

权利要求书

1.一种半导体凸块金属层制作设备，包括一前端传送模块、一预烤装置及一后端清洁溅镀模块，其特征在于：

所述前端传送模块包含一常压传送室及与该常压传送室相连通的多数基材载入机、一加热加载互锁真空室、一冷却加载互锁真空室，该常压传送室中设有一用于在与其相连通的腔室之间传送多数基材的机械手臂；

所述预烤装置与该常压传送室连通；

所述后端清洁溅镀模块与该加热加载互锁真空室及该冷却加载互锁真空室相连通。

2.根据权利要求1所述的半导体凸块金属层制作设备，其特征在于，所述基材加载机上设置一基材搬运盒。

3.根据权利要求1所述的半导体凸块金属层制作设备，其特征在于，所述加热加载互锁真空室的一侧设有一抽真空装置，内部设有一加热模块及一温度侦测器。

4.根据权利要求3所述的半导体凸块金属层制作设备，其特征在于，所述加热模块包含一加热架及一置放架，该加热架上间隔设有相互平行的多数加热板，且对应该多数加热板之间形成有多数置放槽，该置放架可升降地设于该加热架上且位于该加热板及置放槽一侧。

5.根据权利要求1所述的半导体凸块金属层制作设备，其特征在于，所述预烤装置包含一预烤室、一干式泵及一高真空冷冻泵，该预烤室与该常压传送室连通，内部供容置多数基材，该预烤室具有一热纯氮气输入管，该热纯氮气输入管连接至一热纯氮气源，于该预烤室的内部设有一加热线圈。

6.根据权利要求1所述的半导体凸块金属层制作设备，其特征在于，所述后端清洁溅镀模块包含一真空传送腔体及与该真空传送腔体相连通的一前置蚀刻反应室和多数溅镀反应室，该真空传送腔体与该加热加载互锁真空室及该冷却加载互锁真空室相连通，且内部设有一用于在各相连通腔室之间传送基材的真空机械手臂。

7.根据权利要求1所述的半导体凸块金属层制作设备，其特征在于，所述前端传送模块的常压传送室周边设有一个预烤装置。

8.根据权利要求1所述的半导体凸块金属层制作设备，其特征在于，所述前端传送模块的常压传送室周边设有多数个预烤装置。

9.根据权利要求1所述的半导体凸块金属层制作设备，其特征在于，所述预烤装置一次预烤25片基材，所述加热加载互锁真空室一次烘烤2片基材。