[实用新型]半导体凸块金属层制作设备

说明书

一种半导体凸块金属层制作设备，包括一前端传送模块、一预烤装置及一后端清洁溅镀模块，所述前端传送模块包含一常压传送室及与该常压传送室相连通的多数基材载入机、一加热加载互锁真空室、一冷却加载互锁真空室，该常压传送室中设有一用于在与其相连通的腔室之间传送多数基材的机械手臂；所述预烤装置与该常压传送室连通；所述后端清洁溅镀模块与该加热加载互锁真空室及该冷却加载互锁真空室相连通。本实用新型可有效去除基材中的水气，而且亦不会占用到真空传送腔体的制程扩充位置。

技术领域

本实用新型涉及一种半导体凸块金属层制作设备，其主要适用于半导体覆晶封装的凸块制程、晶圆级封装的导线凸块制程、扇出封装的导线凸块制程、2.5维度的硅插封装以及三维度的封装技术，特别涉及一种可有效去除基材中的水气，而且不会占用到真空传送腔体的制程扩充位置的半导体凸块金属层制作设备。

背景技术

请参阅图1所示，系指出一种已知的半导体凸块金属层制作设备，包括一真空传送腔体10、设于该真空传送腔体10周边而与其相连通的一水气去除装置11、一前置蚀刻反应室12、多数溅镀反应室13、一第一加载互锁真空室14、一第二加载互锁真空室15、与该第一、二加载互锁真空室14、15相连通的一常压传送室16，以及设于该常压传送室16一侧的多数基材载入机17，该基材载入机17上可供设置一基材搬运盒18，该基材搬运盒18可供放置多数基材180(如晶圆、基板…等)。其在进行凸块金属层的制作时，系先利用该常压传送室16中的机械手臂(图中未示)将基材搬运盒18中的基材180运送到该第一加载互锁真空室14后，关闭该第一加载互锁真空室14与常压传送室16之间的接口，并将该第一加载互锁真空室14抽真空，当该第一加载互锁真空室14的压力到达高真空时，再利用该真空传送腔体10内的真空机械手臂100将该第一加载互锁真空室14中的基材180依序传送到该水气去除装置11、该前置蚀刻反应室12及该多数溅镀反应室13之中，以依序完成去除水气、去除铝电极氧化物及镀金属层的制程，然后再送至该第二加载互锁真空室15回压到大气压力后，再以常压传送室16中的机械手臂将该基材180传送回该基材载入机17，以完成半导体凸块金属层的制作。

在半导体后段封装制程中，经常有机会使用到PI或PBO材料做为半导体晶体管的保护层或是做为导线重新分配技术的介电材料层。这些有机材料若用在晶圆封装或是扇出封装制程中，在接下来制作金属层时，便常常会遇到因为PI或PBO材料造成大量水气的问题，这些水气会造成金属接点的电极氧化问题，使得金属接点的接触电阻升高，造成产品报废。因此在上述制程中于镀金属层前会先利用该水气去除装置11去除该基材18中的水气到制程可接受的范围。

然而，由于该已知的半导体凸块金属层制作设备系将该水气去除装置11连接设置于该真空传送腔体10的其中一出口处，因此会占用掉该真空传送腔体10的一个制程扩充位置，进而造成后续可扩充的制程腔体受到限制，对于接下来扩充产能或新的制程都会受到影响。

实用新型内容

本实用新型主要目的在于解决上述已知半导体凸块金属层制作设备直接将水气去除装置挂在真空传送腔体上，导致占用该真空传送腔体的一个制程扩充位置进而影响产能等的问题。