[实用新型]一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置

权利要求书

1.一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置，包括：等离子体表面处理真空室、前真空门、前观察窗、后真空门、后观察窗、上电容电极、下电容电极、进气接口、气体混合室、进气管路、进气室、进气缓冲挡板、材料放置架；其特征在于，所述等离子体表面处理真空室在前后侧设置真空门，所述上电容电极和下电容电极均放置于真空室内；所述放置架位于上电容电极与下电容电极之间；所述进气室位于真空室内，并设置于上电容电极上方；所述进气室通过进气管路与气体混合室连接，所述混合室外设置进气接口。

2.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置，其特征在于，所述真空室、进气室、气体混合室、进气管路内均涂覆一层致密的四氟乙烯涂层。

3.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置，其特征在于，所述电容电极使用铜管并依照真空腔室结构设计，同时铜管内可通冷却水。

4.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置，其特征在于，所述进气室内相对于进气管路的开口处设置一个圆形挡板作为进气缓冲挡板。

5.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置，其特征在于，所述进气室底部均匀分布有气孔。

6.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置，其特征在于，所述进气接口在所述混合室两侧相对布置，并可依据工艺要求在所述混合室外设置多个进气接口。