[实用新型]一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置有效
申请号: | 201820703668.6 | 申请日: | 2018-05-12 |
公开(公告)号: | CN208497713U | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 詹铁锤;程光周;薛进;刘龙威 | 申请(专利权)人: | 合肥杰硕真空科技有限公司 |
主分类号: | B29C65/48 | 分类号: | B29C65/48;C08J7/12 |
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地址: | 230000 安徽省合肥市经济技*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电容耦合等离子体 处理装置 高分子材料表面 本实用新型 均匀性 真空门 真空室 等离子体表面处理 等离子体处理 进气混合装置 材料放置架 高分子表面 高分子材料 气体混合室 下电容电极 电容电极 后观察窗 缓冲挡板 混合气体 进气管路 进气接口 气体混合 前观察窗 同时装置 进气室 真空腔 进气 保证 | ||
本实用新型公开了一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置,包括:等离子体表面处理真空室、前真空门、前观察窗、后真空门、后观察窗、上电容电极、下电容电极、进气接口、气体混合室、进气管路、进气室、进气缓冲挡板、材料放置架。本实用新型的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置,利用电容耦合等离子体稳定、均匀的优点,给高分子材料处理真空腔内提供稳定且均匀的等离子体处理环境;同时装置通过设置一进气混合装置,可提高通入混合气体时的气体混合效果,并提高气体进入真空室后分布的均匀性,保证处理效果的均匀性。
技术领域
本实用新型属于一种等离子体表面处理装置技术领域,具体涉及一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置。
背景技术
高分子材料粘接前的表面处理,目前常用的方法有化学湿法处理、光化学法处理、辐射法处理以及等离子体处理等。与其它方法相比,等离子体表面处理则具有更高的温度和能量密度、易产生活性成分等优点。相比于目前工业中广泛使用的化学湿法处理,等离子体表面处理具有节省能源、减少污染等显著特点,对环境保护和实现可持续发展也有重要意义。
电容耦合等离子体能够产生比较均匀且大面积的等离子体,并且工作气压较低(0.1- 10Pa),能够在短时间内获得工作真空度,同时结构简单、造价低,具有很好的工业应用优势。考虑到实际生产中利用等离子体对高分子材料进行表面处理时,材料在传送过程中同时需要等离子体活化和等离子体接枝的场合,并对产品处理效果也要求有一定的均匀性。为了保证处理效果的均匀性和处理技术的实用性,电极的设计和布置至关重要。同时,对于不同高分子材料,有时需要在多种气体混合气氛下进行,此时便需要向真空室内通入两种或以上的气体,而通过设置多个通气管道直接向真空室内通气,一方面在真空室壁上开口太多会影响真空装置的致密性,另外多种气体进入真空室后的混合效果以及进入真空室后气体分布的均匀性也较难保证。
实用新型内容
为克服前述技术问题,本实用新型专利提供了一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置以及混合进气装置。
本实用新型的技术方案是一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置,包括:等离子体表面处理真空室、前真空门、前观察窗、后真空门、后观察窗、上电容电极、下电容电极、进气接口、气体混合室、进气管路、进气室、进气缓冲挡板、材料放置架;所述等离子体表面处理真空室在前后侧设置真空门,所述上电容电极和下电容电极均放置于真空室内;所述放置架位于上电容电极与下电容电极之间;所述进气室位于真空室内,并设置于上电容电极上方;所述进气室通过进气管路与气体混合室连接,所述混合室外设置进气接口。
本实用新型进一步改进在于,所述真空室、进气室、气体混合室、进气管路内均涂覆一层致密的四氟乙烯涂层。
本实用新型进一步改进在于,所述电容电极使用铜管并依照真空腔室结构设计,同时铜管内可通冷却水。
本实用新型进一步改进在于,所述进气室内相对于进气管路的开口处设置一个圆形挡板作为进气缓冲挡板。
本实用新型进一步改进在于,所述进气室底部均匀分布有气孔。
本实用新型进一步改进在于,所述进气接口在所述混合室两侧相对布置,并可依据工艺要求在所述混合室外设置多个进气接口。
本实用新型的有益效果:
本实用新型的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置,利用电容耦合等离子体稳定、均匀的优点,给高分子材料处理真空腔内提供稳定且均匀的等离子体处理环境;同时装置通过设置一进气混合装置,可提高通入混合气体时的气体混合效果,并提高气体进入真空室后分布的均匀性,保证处理效果的均匀性。
附图说明
图1为本实用新型的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置的结构示意图;
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