[实用新型]基板处理装置及用于其的过滤单元有效
申请号: | 201820709893.0 | 申请日: | 2018-05-14 |
公开(公告)号: | CN208093524U | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 赵康一 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B01D61/00 |
代理公司: | 北京冠和权律师事务所 11399 | 代理人: | 朱健;张国香 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基板处理装置 过滤器外壳 过滤单元 药液处理单元 加热器 过滤膜 本实用新型 供给药液 顺序处理 移动路径 稳定化 加热 过滤 | ||
1.一种基板处理装置,作为进行针对被处理基板的药液涂布工艺的基板处理装置,其特征在于,包括:
药液处理单元,其按照规定的工艺顺序处理药液;
过滤单元,其包括过滤器外壳、过滤膜和加热器,过滤器外壳设置于通过所述药液处理单元处理的所述药液的移动路径上,过滤膜对供给到所述过滤器外壳的所述药液进行过滤,加热器对所述药液进行加热。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述加热器通过加热所述药液而降低经过所述过滤膜的所述药液的粘度。
3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述加热器在所述过滤器外壳内部对所述药液进行加热。
4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,
所述加热器对所述过滤器外壳进行加热。
5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
旋转模块,其使得所述过滤器外壳旋转。
6.根据权利要求5所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
第一排气路线,其连接于所述过滤器外壳,将利用离心力而从所述药液分离出来的气体排出至所述过滤器外壳的外部,所述离心力是通过所述过滤器外壳的旋转而产生的。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
真空压力形成部,其连接于所述第一排气路线,并且向所述第一排气路线施加真空压力。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,
所述第一排气路线同轴地配置于所述过滤器外壳的旋转中心。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
振动模块,其向所述过滤器外壳施加振动。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
第二排气路线,其连接于所述过滤器外壳,并且将气体从所述过滤器外壳内部排出至所述过滤器外壳外部。
11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
净化路线,其连接于所述过滤器外壳,并且对经过所述过滤膜的所述药液进行净化。
12.根据权利要求1至11中任意一项所述的基板处理装置,其特征在于,所述药液处理单元包括:
罐,其用于存储所述药液;
药液供给路线,其从所述罐开始供给所述药液,并且安装有所述过滤单元。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,所述药液处理单元包括:
脱气模块,其安装于所述药液供给路线,并且对所述药液中所包含的气体进行排除。
14.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,
所述过滤单元以能够选择性地分离的形式结合于所述药液供给路线。
15.根据权利要求12所述的基板处理装置,其特征在于,
所述过滤单元在利用所述药液对所述过滤膜进行的预湿完成的状态下结合于所述药液供给路线。
16.根据权利要求1至11中任意一项所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
喷嘴单元,其将经过所述过滤单元的所述药液涂布于基板。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置,其特征在于,包括:
冷却部,其对所述药液进行冷却。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于凯斯科技股份有限公司,未经凯斯科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820709893.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种外延缺陷处理设备
- 下一篇:一种花篮
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造