[实用新型]一种过温保护电路有效
| 申请号： | 201820716676.4 | 申请日： | 2018-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN208226553U | 公开（公告）日： | 2018-12-11 |
| 发明（设计）人： | 刘志明 | 申请（专利权）人： | 合肥市汤诚集成电路设计有限公司 |
| 主分类号： | H02H5/04 | 分类号： | H02H5/04 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市高新区*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 过温保护电路 本实用新型 电流源 过温保护 控制芯片 温度超过 热振荡 三极管 温度点 迟滞 电路 芯片 | ||
1.一种过温保护电路，其特征在于包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电流源、第二电流源和第一三极管；
所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极和第五PMOS管的源极均与电源电压相连接；所述第一三极管的基区、第一三极管的集电极、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极均匀地相连接；所述第二电流源的一端与地相连接，另一端与第一PMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极相连接，第二PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接于点B，第一NMOS管的栅极、第一电流源的一端和第一三级管的集电极连接于点A，第三PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极相连接，第四PMOS管的漏极、第三NMOS管的漏极、第五NMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极相连接，第五PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极相连接。
2.根据权利要求1所述过温保护电路，其特征在于：所述第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第五NMOS管实现迟滞功能，避免电路在过温温度点附近发生热振荡。
3.根据权利要求1所述过温保护电路，其特征在于：通过选择第二电流源的大小设置过温温度点。
4.根据权利要求1所述过温保护电路，其特征在于：所述第一三极管为PNP三极管，用于检测芯片温度。
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