[实用新型]一种过温保护电路

说明书

本实用新型公开了一种过温保护电路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电流源、第二电流源和第一三极管；本实用新型提供了一种过温保护电路，实现了当芯片温度超过设定温度时，控制芯片进入过温保护状态，同时，第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第五NMOS管实现迟滞功能，避免电路在过温温度点附近发生热振荡。

技术领域

本发明属于集成电路领域，涉及一种过温保护电路。

背景技术

目前，在集成电路中，芯片在工作时会不可避免地产生功率耗散，使得芯片的温度升高。当芯片温度过高时，会对芯片的稳定性、可靠性造成损伤，因此过温保护电路具有重要的意义。

发明内容

本发明的目的在于提供一种过温保护电路，并实现当芯片温度高于设置时，控制芯片进入温度保护状态，并通过电路的迟滞功能，避免电路在过温点附近发生热振荡。

为了解决上述问题，本发明提供一种过温保护电路，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一电流源、第二电流源和第一三极管；

所述第一PMOS管的源极、第二PMOS管的源极、第三PMOS管的源极、第四PMOS管的源极和第五PMOS管的源极均与电源电压相连接；所述第一三极管的基区、第一三极管的集电极、第一NMOS管的源极、第二NMOS管的源极、第三NMOS管的源极、第四NMOS管的源极和第五NMOS管的源极均匀地相连接；所述第二电流源的一端与地相连接，另一端与第一PMOS管的栅极、第一PMOS管的漏极和第二PMOS管的栅极相连接，第二PMOS管的漏极、第一NMOS管的漏极、第三PMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极连接于点B，第一NMOS管的栅极、第一电流源的一端和第一三级管的集电极连接于点A，第三PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极、第五NMOS管的漏极、第四PMOS管的栅极和第三NMOS管的栅极连接于点C，第四PMOS管的漏极、第三NMOS 管的漏极、第五NMOS管的栅极、第五PMOS管的栅极和第四NMOS管的栅极连接于点D，第五PMOS管的漏极和第四NMOS管的漏极连接于点Y。

第一三极管为横向PNP三极管，能够集成于CMOS工艺，电路通过选择第二电流源的大小设置过温点。第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管和第五NMOS管实现迟滞功能，避免电路在过温温度点附近发生热振荡。

本发明的有益效果是，本发明中的过温保护电路中能够通过选择第二电流源的电流大小设置过温温度点，实现当芯片温度高于设置时，控制芯片进入温度保护状态，同时第三PMOS管、第四PMOS管、第二NMOS管、第三NMOS 管和第五NMOS管实现迟滞功能实现迟滞功能，避免电路在过温温度点附近发生热振荡。

附图说明

图1是本发明的电路原理图；

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明。以下实施例只是描述性的，不是限定性的，不能以此限定本发明的保护范围。

如图1所示，包括第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS 管、第五NMOS管、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS 管、第五PMOS管、第一电流源、第二电流源和第一三极管；