[实用新型]基板处理系统有效
申请号: | 201820718942.7 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN208589416U | 公开(公告)日: | 2019-03-08 |
发明(设计)人: | 林钟逸;赵珳技 | 申请(专利权)人: | 凯斯科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京鸿元知识产权代理有限公司 11327 | 代理人: | 姜虎;陈英俊 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 相反面 基板 基板处理系统 研磨面 清洗 本实用新型 翻转单元 清洗单元 研磨 基板翻转 清洗基板 翻转 异物 收率 | ||
1.一种基板处理系统,其特征在于,包括:
研磨部分,其进行基板的研磨工序;
清洗部分,其清洗经过所述研磨工序的所述基板的研磨面以及所述基板的相反面,
所述清洗部分包括:
研磨面清洗单元,其清洗所述基板的研磨面;
翻转单元,其使所述基板翻转180度;
相反面清洗单元,其清洗由所述翻转单元翻转的所述基板的相反面,
设置在所述研磨部分上的机械臂或设置在所述清洁部分上的移送臂将在所述研磨部分结束研磨的基板移送到所述清洁部分。
2.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,
还包括使所述基板干燥的干燥单元。
3.根据权利要求1所述的基板处理系统,其特征在于,
所述研磨面清洗单元具备多个清洗腔室,
所述多个清洗腔室包括:
第一清洗腔室,其具备对所述基板进行接触清洗的第一清洗部;
第二清洗腔室,其具备对所述基板进行非接触清洗的第二清洗部。
4.根据权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于,
所述第一清洗腔室连续排列两个以上。
5.根据权利要求3所述的基板处理系统,其特征在于,
所述第一清洗部具备分别接触所述基板的研磨面与相反面的旋转刷,从而同时清洗所述基板的研磨面与相反面。
6.一种基板处理系统,其对经过研磨工序的基板进行清洗工序,其特征在于,包括:
第一清洗腔室,其收纳对所述基板的研磨面进行接触清洗的第一清洗部;
第二清洗腔室,其收纳对所述基板的研磨面进行非接触清洗的第二清洗部;
翻转单元,其使在所述第二清洗腔室中清洗的所述基板翻转180度;
第三清洗腔室,其收纳对借助于所述翻转单元而翻转的所述基板的相反面进行非接触清洗的第三清洗部,
所述第一清洗腔室、所述第二清洗腔室、所述第三清洗腔室排列成一列,
在所述第二清洗腔室与所述第三清洗腔室之间配备有用于使基板翻转180度的空闲空间,
所述基板通过基板移送单元在所述第一至第三清洗腔室之间被移送。
7.根据权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,
所述第一清洗腔室由两个以上构成。
8.根据权利要求6所述的基板处理系统,其特征在于,
所述基板移送单元具备:
框架,其沿着所述第一清洗腔室、所述第二清洗腔室、所述第三清洗腔室的排列方向排列;
多个基板放置部,其配备有放置基板的收纳部,并沿所述框架的排列方向移动。
9.根据权利要求8所述的基板处理系统,其特征在于,
所述多个基板放置部中,在所述研磨面清洗单元内往返移动的基板放置部为多个,相互同步并一同移动,往来于所述研磨面清洗单元与所述相反面清洗单元的第三基板放置部独立地移动。
10.根据权利要求8所述的基板处理系统,其特征在于,
所述第三基板放置部构成为能够180度旋转。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造