[实用新型]封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体有效
申请号: | 201820721116.8 | 申请日: | 2018-05-15 |
公开(公告)号: | CN208093554U | 公开(公告)日: | 2018-11-13 |
发明(设计)人: | 韩建华;欧宪勋;罗光淋;程晓玲;徐志前 | 申请(专利权)人: | 日月光半导体(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L23/64 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 封装基板 线路层 本实用新型 电路结构 叠合 集成电路封装体 电容介质层 第二表面 埋入式电容 布局特征 第二区域 第一区域 精细布局 内部元件 微细线路 介电层 埋入式 电容 电阻 内埋 | ||
1.一种封装基板,其特征在于,其包括:
第一叠合电路结构,其包括具有相对的第一表面与第二表面的第一线路层、具有相对的第三表面与第四表面的第二线路层以及位于所述第一线路层与所述第二线路层之间的电容介质层,所述电容介质层包括:
至少一第一区域,所述至少一第一区域仅与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面中的一者直接接触;以及
至少一第二区域,所述至少一第二区域与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面同时直接接触构成内埋电容;
第二叠合电路结构,其包括具有相对的第五表面与第六表面的第三线路层以及电阻层,且所述电阻层包括电阻区域以及非电阻区域,所述电阻区域裸露于所述第三线路层,所述非电阻区域位于所述第三线路层的下方且与所述第三线路层的第五表面直接接触;以及
第一介电层,其位于所述第一叠合电路结构与所述第二叠合电路结构之间。
2.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括第二介电层,其靠近所述第二叠合电路结构,且与所述第二叠合电路结构的所述电阻层直接接触。
3.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括第二介电层,其靠近所述第一叠合电路结构,且与所述第一叠合电路结构的所述第一线路层直接接触。
4.根据权利要求2或3所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括第四线路层,所述第四线路层内埋于所述第二介电层中,且所述第四线路层的底面与所述第二介电层的底面平齐。
5.根据权利要求4所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括导通柱,所述导通柱嵌埋于所述第一介电层、第二介电层以及所述电容介质层中,并导通所述第一线路层、所述第二线路层、所述第三线路层以及所述第四线路层中的至少两者。
6.根据权利要求2所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括第五线路层、设于所述第二线路层与所述第五线路层之间的第三介电层以及嵌埋于所述第三介电层中并导通所述第二线路层及所述第五线路层的第二导通柱。
7.根据权利要求3所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括第五线路层、设于所述第三线路层与所述第五线路层之间的第三介电层以及嵌埋于所述第三介电层中并导通所述第三线路层及所述第五线路层的第二导通柱。
8.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述电容介质层进一步包括第三区域,所述第三区域与所述第一线路层的所述第二表面以及所述第二线路层的所述第三表面均不接触。
9.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板进一步包括防焊层。
10.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述封装基板是无核心层基板。
11.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述电阻层是薄膜形电阻层,厚度大于0微米小于等于0.5微米。
12.根据权利要求1所述的封装基板,其特征在于,所述电容介质层的厚度大于0微米小于等于20微米。
13.一种集成电路封装体,其包含:
根据权利要求1-12中任一项所述的封装基板;以及
承载于所述封装基板上的集成电路元件。
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