[实用新型]封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体有效

专利信息
申请号: 201820721116.8 申请日: 2018-05-15
公开(公告)号: CN208093554U 公开(公告)日: 2018-11-13
发明(设计)人: 韩建华;欧宪勋;罗光淋;程晓玲;徐志前 申请(专利权)人: 日月光半导体(上海)有限公司
主分类号: H01L23/498 分类号: H01L23/498;H01L23/64
代理公司: 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 代理人: 林斯凯
地址: 201203 上海市浦*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 封装基板 线路层 本实用新型 电路结构 叠合 集成电路封装体 电容介质层 第二表面 埋入式电容 布局特征 第二区域 第一区域 精细布局 内部元件 微细线路 介电层 埋入式 电容 电阻 内埋
【说明书】:

实用新型涉及封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体。根据本实用新型一实施例的封装基板,该封装基板包括第一叠合电路结构、第二叠合电路结构和第一介电层。其中,该第一叠合电路结构包括第一线路层、第二线路层以及位于该第一线路层与该第二线路层之间的电容介质层。该电容介质层包括仅与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面中的一者直接接触的至少一第一区域,以及与第一线路层的第二表面和第二线路层的第三表面同时直接接触构成内埋电容的至少一第二区域。本实用新型提供的封装基板兼具埋入式电阻、埋入式电容以及微细线路的布局特征,实现了封装基板内部元件的精细布局。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域,特别涉及封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体。

背景技术

在目前的半导体封装技术中,将电阻和电容设置于封装基板内部是实现电子系统小型化的一种解决方案。通过这种方式,不仅可以提高产品的稳定性和可靠性,而且缩小了产品的物理尺寸。传统技术通常采用在封装基板内部挖孔洞的方式,将电阻元件和电容元件放置在预留的孔洞中,从而实现将电阻和电容埋入封装基板。

但是,随着技术的不断发展,在具有埋入式电阻和埋入式电容的封装基板的表面上,对线路布局的精细化程度要求越来越高,传统技术的做法难以满足线路进一步密集化的要求。

因此,业内亟需对现有的封装基板进行改进,以解决现有技术所存在的上述问题。

实用新型内容

本实用新型实施例的目的之一在于提供封装基板及包含该封装基板的集成电路封装体,其将埋入式电阻、埋入式电容与埋入式线路相结合,满足了线路进一步密集化的要求。

本实用新型的一实施例提供一种封装基板,该封装基板包括第一叠合电路结构、第二叠合电路结构以及第一介电层。其中,该第一叠合电路结构包括具有相对的第一表面与第二表面的第一线路层、具有相对的第三表面与第四表面的第二线路层以及位于第一线路层与第二线路层之间的电容介质层。该电容介质层包括至少一第一区域和至少一第二区域,其中,该至少一第一区域仅与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面中的一者直接接触,而该至少一第二区域与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面同时直接接触构成内埋电容。该第二叠合电路结构包括具有相对的第五表面与第六表面的第三线路层以及电阻层,并且该电阻层包括电阻区域以及非电阻区域,该电阻区域裸露于第三线路层,该非电阻区域位于第三线路层的下方且与第三线路层的第五表面直接接触。该第一介电层位于第一叠合电路结构与第二叠合电路结构之间。

根据本实用新型的一实施例,该封装基板进一步包括第二介电层,该第二介电层靠近第二叠合电路结构,且与第二叠合电路结构的电阻层直接接触。

根据本实用新型的另一实施例,该封装基板进一步包括第二介电层,该第二介电层靠近第一叠合电路结构,且与第一叠合电路结构的第一线路层直接接触。

根据本实用新型的一实施例,该封装基板进一步包括第四线路层,该第四线路层内埋于第二介电层中,且第四线路层的底面与第二介电层的底面平齐。

根据本实用新型的一实施例,该封装基板进一步包括导通柱,该导通柱嵌埋于第一介电层、第二介电层以及电容介质层中,并导通第一线路层、第二线路层、第三线路层以及第四线路层中的至少两者。

根据本实用新型的一实施例,该封装基板进一步包括第五线路层、设于第二线路层与第五线路层之间的第三介电层以及嵌埋于第三介电层中并导通第二线路层及第五线路层的第二导通柱。

根据本实用新型的另一实施例,该封装基板进一步包括第五线路层、设于第三线路层与第五线路层之间的第三介电层以及嵌埋于第三介电层中并导通第三线路层及第五线路层的第二导通柱。

根据本实用新型的一实施例,该电容介质层进一步包括第三区域,该第三区域与第一线路层的第二表面以及第二线路层的第三表面均不接触。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日月光半导体(上海)有限公司,未经日月光半导体(上海)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201820721116.8/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top