[实用新型]一种工作台及背面对准装置

说明书

本实用新型属于集成电路制造技术领域，具体公开了一种工作台及背面对准装置。工作台包括水平基座、气足、吸盘和第一导气组件；水平基座上开设有贯穿水平基座上表面的透光孔；气足设置在水平基座上，且能相对水平基座在水平面上移动，气足上间隔开设有多个第一通光孔，当气足在水平基座上移动时，多个第一通光孔能分别与透光孔导通；吸盘设置在气足上方，能相对气足进行三个自由度上的转动及沿垂直方向平移，吸盘对应于第一通光孔的位置开设有第二通光孔；第一导气组件，吸盘上表面设置有用于吸附基底的第一吸附气道，第一导气组件一端与气足连通，另一端与第一吸附气道连通。本实用新型提供的工作台及背面对准装置，结构简单，成本较低。

技术领域

本实用新型涉及集成电路制造领域，尤其涉及一种工作台及背面对准装置。

背景技术

随着电子产品的不断发展，电子产品内集成电路所包含的硅片数量在不断增加，且电子产品小型化、智能化的发展需求，对半导体封装器件的智能化和小型化提出了更高的要求。多硅片封装是一个将两种或更多平面器件堆叠并连接起来的硅片级封装方法，从而使有限的空间内能设置更多的半导体器件。

贯穿硅片通孔封装工艺(Through Silicon Via)是多硅片封装中的一种，其在半导体硅片的正面到背面形成微型通孔，以电气方式将上下硅片连接，实现硅片间的连接封装。由于采用垂直互联的方式，缩短了硅片之间互联引线的长度，具有引线长度短、引线密封高、封装体积小及硅片间信号传递快的优点。

TSV封装工艺方式要求能在硅片背面进行曝光，因此要求半导体光刻设备具有背面对准装置以满足硅片背面曝光的工艺需求。该背面对准装置以硅片前表面(或称为硅片正面)已有的图形为硅片背面后面对准标记，从而确定硅片背面曝光图形与硅片前表面已有图形之间的位置误差。背面对准装置的测量精度将直接决定了硅片前后表面光刻图形之间的套刻误差。

美国专利US6525805B、US6768539B中均公开了一种典型的背面对准装置，该装置利用可见光测量法通过离轴对准装置实现硅片背面对准，但是该装置中背面对准标记照明装置多，一个背面对准标记对应一套背面对准标记照明装置，导致背面对准标记照明装置装配复杂且成本高；由于背面对准标记照明装置位于硅片承片台下方，因此硅片承片台结构设计复杂、加工成本高；同时由于该装置中要求背面对准标记位置必须位于背面对准标记照明装置的照明视场内，因此导致工艺适应性差。

美国专利US6525805B中还公开了采用红外测量法的硅片背面位置对准装置，利用近红外光测量法在硅片承片台内不同位置处安装近红外光源以实现对硅片背面标记的照明，然后通过硅片上方的近红外成像系统实现对硅片背面标记的成像。该装置中硅片背面标记照明装置安装于硅片承片台内，因此工件台结构设计和装配比较复杂，且加工成本高，且受到硅片全场对准精度及硅片承片台空间尺寸的制约；需要在硅片背面标记照明装置指定位置处制作相应的硅片背面对准标记，因此增加了工艺流程及复杂度，导致工艺适应性差。

实用新型内容

本实用新型的目的之一在于提供一种工作台，以减小背面对准装置用工作台的结构复杂度，降低工作台的加工成本，且提高工作台的工艺适应性。

本实用新型的另一目的在于提供一种背面对准装置，减小背面对准装置的结构复杂度，降低背面对准装置的加工成本，提高背面对准装置的使用灵活性和工艺适应性。

为实现上述目的，本实用新型采用下述技术方案：

一种工作台，包括：

水平基座，其上开设有贯穿所述水平基座上表面的透光孔，所述透光孔内设置有第一透光片；

气足，设置在所述水平基座上，且能相对所述水平基座在水平面上移动，所述气足上间隔开设有多个第一通光孔，当所述气足在所述水平基座上移动时，多个所述第一通光孔能分别与所述透光孔导通；