[实用新型]一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体

说明书

本实用新型公开了一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架和下部框架，上部框架上端面固接有电源连接部，上部框架上端面环形阵列有若干气管，下部框架与上部框架通过框架连接部固接，下部框架的直径大于上部框架，并且，下部框架比上部框架大的区域上端面开设有若干贯通孔，贯通孔以放射状排列，下部框架内部开设有加热机构限位槽，加热机构限位槽内部固定设有加热机构，加热机构上方固接有加热机构固定罩。本实用新型中上部框架和下部框架由相同的材质形成，相互通过硬钎焊接合，构成坚固的结构，提供更易实现等离子封锁的环形隔板装配；本实用新型中贯通孔的大小可以根据蚀刻工艺所需要的大小进行装配垫圈进行调节，适应性强。

技术领域

本实用新型涉及一种挡板，尤其涉及一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体。

背景技术

在高密度集成电路(LSI；largescaleintegratedcircuit)的制作中，半导体基板的等离子处理被应用在电介质蚀刻,金属蚀刻，化学气相沉积及其他工艺流程中。

在半导体处理中，通过更小尺寸及通向线宽的趋势，想要以高精度提高半导体基板物质的遮蔽，蚀刻及沉积性能。

蚀刻通过支撑构件支撑的基板的处理领域，由所供应的作业气体可实行无线电频率(RF)电力的许可，最终，电场作业气体因等离子被活性化以后，在处理领域打造反应区域。支撑构件面向在其上部支撑的基板，在等离子内部偏离以便吸引离子。离子面向邻近基板的等离子边界层移动，在边界层留下的时候会加速。加速的离子从基板表面开始去除物质或者创造蚀刻所需要的能量。因为加速的离子在处理腔室内部可以蚀刻其他构成因素，所以在基板的处理领域内封锁离子是有利的。

一方面，未封锁的等离子腔室墙上的蚀刻-可引起副产物沉积，并且可能蚀刻腔室壁。腔室壁的蚀刻-副产物沉积可以使工艺漂移。从腔室壁开始被蚀刻的物质通过再次沉积，可能会污染基板。

此外，未封锁的等离子在下层区域蚀刻-可能引起副产物沉积。积压的蚀刻-副产物可能剥落成薄片并导致粒子的产生。

为了实施这样的工艺，在等离子腔室内部处理领域内部，要求对封锁等离子的隔板装配进行技术研究，在历来的隔板装配中，上部和下部分别由不同的物质组成。

上部一般由碳化硅(SiC)，下部由铝(AL)组成，为了使上/下部接合，要求进行额外的焊接作业，也要求进行使物质相互接合的加工工艺，但是作业时间的增加和产品的稳定性存在问题。

实用新型内容

本实用新型的目的是为了解决现有技术中离子封锁结果不理想的缺点，而提出的一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体。

为了实现上述目的，本实用新型采用了如下技术方案：

设计一种适用于聚集等离子体的环形挡板组装体，包括上部框架和下部框架，上部框架为开口圆环形，上部框架上端面固定连接有电源连接部，上部框架上端面环形阵列有若干气管，下部框架与上部框架同轴设置，下部框架与上部框架通过框架连接部固定连接，下部框架的直径大于上部框架，并且，下部框架比上部框架大的区域上端面开设有若干贯通孔，贯通孔以放射状排列，下部框架内部开设有加热机构限位槽，加热机构限位槽内部固定设有加热机构，加热机构上方固定连接有加热机构固定罩，加热机构包括加热线圈、环形加热器和供应部，环形加热器为内部中空结构，加热线圈设置在环形加热器内部，供应部一端与电源连接部电性连接，供应部另一端与加热线圈固定连接。

优选的，上部框架和下部框架均为相同材质制成。

优选的，上部框架和下部框架的制作材料为铝合金。

优选的，贯通孔内侧壁开设有若干第一卡槽，贯通孔内卡接有垫圈，垫圈外侧壁固定连接有若干卡块，卡块与第一卡槽匹配，垫圈内侧壁开设有若干第二卡槽。

优选的，下部框架与上部框架通过框架连接部固定连接的方式为硬钎焊。