[实用新型]一种单晶炉及石英多次加料装置

说明书

一种单晶炉及石英多次加料装置，包括上炉体，隔离阀，下炉体，坩埚，石英加料装置，所述石英加料装置包括连接轴，钼杆，压板一，压板二，筒体，外筒体，支撑环，锥形筒底；所述的压板一放置在压板二上；所述的压板二放置在筒体上；所述的连接轴与钼杆一端通过螺纹连接，下端通过螺纹拧紧固定在锥形筒底内；所述的外筒体包裹筒体，并与筒体固定在一起；所述支撑环固定在外筒体上。该装置可以实现单晶炉内的多晶硅料的多次加料，能一次性拉出所需长度的单晶硅棒料，同时加料时无卡料现象，也避免了高温时单晶棒品质受污染的生产事故。

技术领域

本实用新型涉及单晶炉设备制造领域，具体地说是一种单晶炉及石英多次加料装置。

背景技术

在单晶硅直拉法生产过程中，一般是将硅料加入到坩埚里加热融化，然后冷却至一定的温度，把籽晶装入硅籽晶夹持器中，将夹持器的上端通过连接件与籽晶轴连接，通过提升，使籽晶长大形成硅棒。由于在加料前多晶硅初始状态为固态，而加热后多晶硅体积缩小，所以在坩埚内多晶硅的体积减少，使得坩埚上部还有剩余较大的空间，使得多晶硅的调料相当于单晶炉调料不足，造成一次拉出的单晶硅的棒体长度较短，不能很好的利用生产设备和生产合适长度的多晶硅棒体，所以单晶炉生产现在多设置二次或多次加料装置，加料装置根据装置材料可分为金属加料装置和非金属加料装置，非金属加料装置中石英加料装置应用较广，与金属加料装置比较，石英加料装置污染小，但是与金属加料装置相比又石英具有易脆的特点。

实用新型内容

针对以上结构，本实用新型提供一种单晶炉及石英多次加料装置，解决了单晶炉由于一次填料不足造成拉出的单晶硅棒体长度不足的缺陷，并解决了石英易脆而不好搬运和安装的特点。

本实用新型解决其技术问题所采取的技术方案是：一种单晶炉及石英多次加料装置，包括上炉体，隔离阀，下炉体，坩埚，石英加料装置，所述上炉体与隔离阀上端固定在一起，隔离阀下端与下炉体固定在一起，所述坩埚固定在下炉体内所述石英加料装置穿过上炉体和隔离阀并深入到下炉体内，其特征在于：所述石英加料装置包括连接轴，钼杆，压板一，压板二，筒体，外筒体，支撑环，锥形筒底；所述的压板一放置在压板二上；所述的压板二放置在筒体上；所述的连接轴与钼杆一端通过螺纹连接，所述的钼杆穿过压板一、压板二、筒体、和锥形筒底，下端通过螺纹拧紧固定在锥形筒底内；所述的外筒体包裹筒体，并与筒体固定在一起；所述支撑环固定在外筒体上。

作为优化，所述的压板一由对称的两半组成。

作为优化，所述的压板二一端开弧形槽。

作为优化，所述的压板一和压板二材质为聚四氟乙烯。

作为优化，所述的筒体为上下两端都开口的锥形筒结构，上端口为宽端，下端口为窄端，上端口设有突出的边缘。

作为优化，所述的筒体材质为高纯度透明石英。

作为优化，所述的外筒体与筒体之间固定连接，所述外筒体外侧固定支撑环；所述的外筒体和支撑环材质为不锈钢。

作为优化，所述的锥形筒底窄端朝上，锥形筒底中间从上端到下端依次设置三段由小到大的孔，钼杆由窄端穿过，从宽端深出，通过螺母拧紧在锥形筒底内，锥形筒底与螺母之间固定有弹性圈。

作为优化，所述的弹性圈和螺母材质为钼。

作为优化，所述的加料装置的锥形筒底的最低端与坩埚液面的对小距离为110-120mm。

本实用新型的有益效果是：与现有技术相比，本实用新型的一种单晶炉及石英多次加料装置，可以实现单晶炉内的多晶硅料的多次加料，能一次性拉出所需长度的单晶硅棒料，同时加料时无卡料现象，也避免了高温时单晶棒品质受污染的生产事故。

附图说明

图1为本实用新型主视图；

图2为本实用新型加料装置剖视图；