[实用新型]一种高压芯片用电极

说明书

本实用新型涉及一种高压芯片用电极，所述高压芯片用电极为直条型电极。本实用新型的优点在于：本实用新型高压芯片用电极，改T字型电极为直条型电极，由于直条型电极与T字型电极相比，端部没有向两侧延伸的凸体，减少了电极面积占芯片面积的比例，使得芯片承载电流更强，进而能够有效提升芯片的老化性能与光电效率，且光电效率可提升1～3%。

技术领域

本实用新型属于半导体技术领域，特别涉及一种高压芯片用电极。

背景技术

随着半导体集成技术的高速发展，一种称为高压芯片的LED 结构应运而生。目前，一般半导体高压芯片，如图1所示，包括衬底1、形成于所述衬底1上的发光半导体层，发光半导体层包括依次设置的N 型半导体层2、有源层3和 P型半导体层4；所述 N 型半导2体层与有源层3之间以及有源层3和 P型半导体层4之间分别通过T字型电极5和T字型电极6连接；由于T字型电极的端部向两侧伸出，因而发光半导体层上需开有的连接槽应包裹整个电极的端部，进而电极面积占芯片面积的比例相对较大，使得芯片的承载电流、老化性能及光电效率相对较弱。

因此，研发一种能够提升芯片的承载电流、老化性能及光电效率的高压芯片用电极是非常有必要的。

实用新型内容

本实用新型要解决的技术问题是提供一种能够提升芯片的承载电流、老化性能及光电效率的高压芯片用电极。

为解决上述技术问题，本实用新型的技术方案为：一种高压芯片用电极，其创新点在于：所述高压芯片用电极为直条型电极。

进一步地，高压芯片包括衬底、形成于所述衬底上的发光半导体层，所述发光半导体层包括依次设置的N 型半导体层、有源层和 P型半导体层；所述直条型电极分别用于连接N 型半导体层与有源层以及有源层与 P型半导体层。

进一步地，所述用于连接N 型半导体层与有源层的直条型电极记作直条型电极A，用于连接有源层与 P型半导体层的直条型电极记作直条型电极B；

所述有源层靠近N型半导体层一侧开有与直条型电极A一端部匹配的半圆槽A，所述直条型电极A另一端通过扩展引线A与N型半导体层连接固定；

所述P型半导体层靠近有源层一侧开有与直条型电极B一端部匹配的半圆槽B，所述直条型电极B的另一端通过扩展引线B与有源层连接固定。

本实用新型的优点在于：本实用新型高压芯片用电极，改T字型电极为直条型电极，由于直条型电极与T字型电极相比，端部没有向两侧延伸的凸体，减少了电极面积占芯片面积的比例，使得芯片承载电流更强，进而能够有效提升芯片的老化性能与光电效率，且光电效率可提升1～3%。

附图说明

下面结合附图和具体实施方式对本实用新型作进一步详细的说明。

图1为背景技术中半导体高压芯片的结构示意图。

图2为实施例高压芯片的结构示意图。

具体实施方式

下面的实施例可以使本专业的技术人员更全面地理解本实用新型，但并不因此将本实用新型限制在所述的实施例范围之中。

实施例

本实施例高压芯片用电极，如图2所示，高压芯片用电极为直条型电极。

本实施例直条型电极高压芯片，包括衬底7、形成于衬底7上的发光半导体层，发光半导体层包括依次设置的N 型半导体层8、有源层9和 P型半导体层10；N 型半导体层8与有源层9之间以及有源层9和 P型半导体层10之间分别通过直条型电极11和直条型电极12连接。

本实施例中，有源层9靠近N型半导体层8一侧开有与直条型电极11一端部匹配的半圆槽91，直条型电极11另一端通过扩展引线13与N型半导体层8连接固定。