[实用新型]晶圆研磨设备

说明书

本实用新型涉及一种晶圆研磨设备，包括：两个以上的研磨腔室，各个研磨腔室之间相互连通并且所述各个研磨腔室包括用于放置晶圆的承载盘；腔室挡板，可升降地安装于各个研磨腔室之间，当所述腔室挡板处于升起状态时，分离各个研磨腔室。所述晶圆研磨设备能够减少研磨过程中的晶圆缺陷，降低设备保养成本和保养时间。

技术领域

本实用新型涉及半导体技术领域，尤其涉及一种晶圆研磨设备。

背景技术

现有的晶圆研磨设备(例如，化学机械研磨(CMP)设备)通常具有多个研磨腔。在研磨时，各个研磨腔相互连通，在磨头开始在研磨垫开始研磨前，研磨盘外围的升降板升起，能够阻挡大部分研磨液、水的飞溅。

但是在实际研磨过程中，各个研磨盘外围的升降板不能完全阻挡液体飞溅，不同PH的研磨剂混合产生化学反应、残留物冲刷时飞溅均会影响晶圆缺陷。当有晶圆发生碎片时，所述升降板也无法阻挡个碎片飞溅到其他研磨垫，设备工程师需要对所有研磨垫、研磨头、研磨刷进行更换，使得设备维护成本提高。当需要打开外围罩临时检查，或对设备中的某一个研磨腔进行保养时，其他研磨腔也需要一并做颗粒物的监测，大大增加了设备的检测时间。

如何在化学机械研磨过程中避免上述问题，是目前亟待解决的问题。

实用新型内容

本实用新型所要解决的技术问题是，提供一种晶圆研磨设备，降低晶圆在研磨过程中产生缺陷的几率，并降低设备维护成本。

本实用新型提供一种晶圆研磨设备，包括：两个以上的研磨腔室，各个研磨腔室之间相互连通并且所述各个研磨腔室包括用于放置晶圆的承载盘；腔室挡板，可升降地位于各个研磨腔室之间，当所述腔室挡板处于升起状态时，分离各个研磨腔室。

可选的，还包括：升降气缸，用于控制所述腔室挡板的升降。

可选的，每个腔室挡板通过两个升降气缸控制。

可选的，所述腔室挡板在升起状态下的高度能够在0.2m～1.5m范围内调整。

可选的，所述各个研磨腔室包括：旋转支架和研磨头，所述研磨头安装于所述旋转支架端部，所述旋转支架用于支撑和移动所述研磨头的位置。

可选的，所述腔室挡板处于降下状态时，所述旋转支架能够带动所述研磨头移动；所述腔室挡板处于升起状态时，阻挡所述旋转支架移动。

可选的，还包括：晶圆装载腔室，所述晶圆装载腔室包括旋转支架和吸附元件，所述旋转支架能够带动所述吸附元件和所吸附的晶圆移动；所述晶圆装载腔室与所述研磨腔室之间也安装有所述腔室挡板，并且所述腔室挡板处于降下状态时，所述旋转支架将所述吸附的晶圆移动到所述研磨腔室的所述承载盘上。

可选的，所述晶圆研磨设备包括呈十字分布的一个所述晶圆装载腔室和三个所述研磨腔室；所述旋转支架包括两个相互交叉的子支架，其中一个子支架的一端设置有所述吸附元件，另一端设置有研磨头，另一个子支架的两端均设置有研磨头；所述旋转支架的旋转轴设置于所述子支架的交叉位置处。

本实用新型的晶圆研磨设备在各个腔室之间具备可升降的腔室挡板，当各个腔室挡板升起时，能够对各个腔室进行隔离。从而在进行化学机械研磨的过程中，能够避免研磨液、晶圆碎片对其他腔室导致影响，还能够单独对某个腔室进行保养，从而降低晶圆缺陷、降低保养成本，缩短设备保养时间。

附图说明

图1为本实用新型一具体实施方式的晶圆研磨设备的结构示意图；

图2为图1的晶圆研磨设备的操作方法的流程示意图。

具体实施方式

下面结合附图对本实用新型提供的晶圆研磨设备的具体实施方式做详细说明。